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公开(公告)号：CN118486685A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202311862926.7
申请日：2023-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64 , H01L23/58 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括具有在电路上方形成的重分布层(RDL)的电路。重分布层包括多个金属层。电感器形成在最上面的金属层中，并且电路直接位于电感器下方。凸块下金属化(UBM)层形成在最上面的金属层上和导电连接件形成在UBM层上。本发明的实施例还提供了一种半导体结构的形成方法。
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