公开(公告)号：CN107445134B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201710244191.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏桦 ,  刘丙寅 ,  刘冠良 ,  蔡嘉雄 ,  亚历山大·卡利尼克斯

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本揭露涉及半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包含：第一衬底，其包含延伸到所述第一衬底中的腔、放置于所述腔内的装置、放置于所述第一衬底上方的第一电介质层及由所述第一电介质层环绕的第一导电结构；以及第二衬底，其包含放置于所述第二衬底上方的第二电介质层及由所述第二电介质层环绕的第二导电结构，其中所述第一导电结构与所述第二导电结构接合且所述第一电介质层与所述第二电介质层接合以密封所述腔。

公开(公告)号：CN107445134A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710244191.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林宏桦 ,  刘丙寅 ,  刘冠良 ,  蔡嘉雄 ,  亚历山大·卡利尼克斯

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/092 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  B81C2203/0792 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0228 ,  B81C1/00261

Abstract: 本揭露涉及半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包含：第一衬底，其包含延伸到所述第一衬底中的腔、放置于所述腔内的装置、放置于所述第一衬底上方的第一电介质层及由所述第一电介质层环绕的第一导电结构；以及第二衬底，其包含放置于所述第二衬底上方的第二电介质层及由所述第二电介质层环绕的第二导电结构，其中所述第一导电结构与所述第二导电结构接合且所述第一电介质层与所述第二电介质层接合以密封所述腔。