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公开(公告)号：CN111848172A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010722118.0
申请日：2020-07-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷材料制备。将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，将MoSi2和裂解后的SiC(rGO)p陶瓷颗粒、先驱体PVG粉末混合形成MoSi2/SiC(rGO)p/PVG混合物，然后在酒精介质中进行球磨混合均匀后置于烘箱中烘干；装入模具中模压成型，脱模后得素坯，放入惰性气氛管式炉内进行高温烧结，随炉冷却后即得到黑色的二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷，简称3D-SiC(rGO,MoSi2x)纳米复合块体陶瓷，其中x为二硅化钼占整个素坯的质量分数。具有较高的热导率和电导率，良好成型性与成分均匀性；工艺简单经济。
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公开(公告)号：CN110922191A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911327806.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，涉及陶瓷材料制备。将PCS粉末、VTES与卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液，将GO粉末分散于水中得水溶液；将二甲苯溶液和水溶液混合，水浴加热并用磁力搅拌器搅拌，反应后静置，取上层液体旋蒸后研磨，得先驱体PVG粉末，模压成型后得SiC(rGO)素坯，将素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结，随炉冷却后即得黑色3D-SiC(rGO)陶瓷，然后浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中，浸渍后取出晾干，于氩气气氛中高温裂解，重复多次后即得浸渍3D-SiC(rGO)陶瓷，在不同温度下于空气中高温氧化，即得愈合3D-SiC(rGO)陶瓷。
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公开(公告)号：CN110467467B
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN201910826944.7
申请日：2019-09-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/577 , C04B35/622
Abstract: 一种块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷及共混再裂解制备方法，涉及陶瓷材料制备。所述块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷命名为3D‑SiC(rGO)陶瓷，由β‑SiC、SiOxCy、SiO2、rGO和游离碳组成，其中β‑SiC纳米晶弥散分布于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中，SiO2晶粒镶嵌于β‑SiC/SiOxCy/Cfree基体中。该陶瓷以自制改性聚合物先驱体聚碳硅烷‑乙烯基三乙氧基硅烷‑氧化石墨烯为原料，与该先驱体裂解后获得的SiC(rGO)p粉末按比例混合、球磨、再裂解制得。具有较高陶瓷产率和较低线性收缩率，硬度和断裂韧性表现好，微观结构均匀致密，较少孔隙、微裂纹和界面，实用性和可靠性强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110922191B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201911327806.0
申请日：2019-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/622
Abstract: 一种碳化硅聚合物先驱体陶瓷缺陷愈合方法，涉及陶瓷材料制备。将PCS粉末、VTES与卡斯特催化剂溶解于二甲苯中得二甲苯溶液，将GO粉末分散于水中得水溶液；将二甲苯溶液和水溶液混合，水浴加热并用磁力搅拌器搅拌，反应后静置，取上层液体旋蒸后研磨，得先驱体PVG粉末，模压成型后得SiC(rGO)素坯，将素坯置于气氛管式炉内氩气气氛下高温烧结，随炉冷却后即得黑色3D‑SiC(rGO)陶瓷，然后浸没于分子量较小的液态聚碳硅烷先驱体中，浸渍后取出晾干，于氩气气氛中高温裂解，重复多次后即得浸渍3D‑SiC(rGO)陶瓷，在不同温度下于空气中高温氧化，即得愈合3D‑SiC(rGO)陶瓷。
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公开(公告)号：CN108802098A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810673293.8
申请日：2018-06-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种连续碳化硅薄膜热导率的测量装置及其测量方法，涉及碳化硅薄膜热导率的测量。测量装置设有热源装置、电子式万能拉力试验机、温度测量装置和计算机。所述热源装置由信号源和高热导螺旋电阻丝组成。所述电子式万能拉力试验机带有样品夹持装置并可通过计算机的程序控制样品夹持装置的移动距离。所述温度测量装置设有非接触式红外测温仪探头和锁相放大器。所述计算机可控制电子式万能拉力试验机夹具的移动距离并能够处理锁相放大器采集到的信号，进行相应的数据分析。所述测量方法利用能够探测样品上各点热量信号与热源信号的相位差值，通过图像拟合和公式推导可计算得出薄膜材料热导率。
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公开(公告)号：CN111848172B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202010722118.0
申请日：2020-07-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/565 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷材料制备。将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，将MoSi2和裂解后的SiC(rGO)p陶瓷颗粒、先驱体PVG粉末混合形成MoSi2/SiC(rGO)p/PVG混合物，然后在酒精介质中进行球磨混合均匀后置于烘箱中烘干；装入模具中模压成型，脱模后得素坯，放入惰性气氛管式炉内进行高温烧结，随炉冷却后即得到黑色的二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷，简称3D‑SiC(rGO,MoSi2x)纳米复合块体陶瓷，其中x为二硅化钼占整个素坯的质量分数。具有较高的热导率和电导率，良好成型性与成分均匀性；工艺简单经济。
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公开(公告)号：CN108802098B
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201810673293.8
申请日：2018-06-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种连续碳化硅薄膜热导率的测量装置及其测量方法，涉及碳化硅薄膜热导率的测量。测量装置设有热源装置、电子式万能拉力试验机、温度测量装置和计算机。所述热源装置由信号源和高热导螺旋电阻丝组成。所述电子式万能拉力试验机带有样品夹持装置并可通过计算机的程序控制样品夹持装置的移动距离。所述温度测量装置设有非接触式红外测温仪探头和锁相放大器。所述计算机可控制电子式万能拉力试验机夹具的移动距离并能够处理锁相放大器采集到的信号，进行相应的数据分析。所述测量方法利用能够探测样品上各点热量信号与热源信号的相位差值，通过图像拟合和公式推导可计算得出薄膜材料热导率。
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公开(公告)号：CN110467467A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910826944.7
申请日：2019-09-03
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/577 , C04B35/622
Abstract: 一种块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷及共混再裂解制备方法，涉及陶瓷材料制备。所述块体碳化硅聚合物先驱体陶瓷命名为3D-SiC(rGO)陶瓷，由β-SiC、SiOxCy、SiO2、rGO和游离碳组成，其中β-SiC纳米晶弥散分布于复合rGO的SiOxCy/Cfree无定形相中，SiO2晶粒镶嵌于β-SiC/SiOxCy/Cfree基体中。该陶瓷以自制改性聚合物先驱体聚碳硅烷-乙烯基三乙氧基硅烷-氧化石墨烯为原料，与该先驱体裂解后获得的SiC(rGO)p粉末按比例混合、球磨、再裂解制得。具有较高陶瓷产率和较低线性收缩率，硬度和断裂韧性表现好，微观结构均匀致密，较少孔隙、微裂纹和界面，实用性和可靠性强。
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