公开(公告)号：CN111848172A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010722118.0

申请日：2020-07-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姚荣迁 ,  黄雯燕 ,  郑艺浓 ,  韩宇宸 ,  韩浩哲 ,  安子一 ,  陈峰

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷材料制备。将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，将MoSi2和裂解后的SiC(rGO)p陶瓷颗粒、先驱体PVG粉末混合形成MoSi2/SiC(rGO)p/PVG混合物，然后在酒精介质中进行球磨混合均匀后置于烘箱中烘干；装入模具中模压成型，脱模后得素坯，放入惰性气氛管式炉内进行高温烧结，随炉冷却后即得到黑色的二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷，简称3D-SiC(rGO,MoSi2x)纳米复合块体陶瓷，其中x为二硅化钼占整个素坯的质量分数。具有较高的热导率和电导率，良好成型性与成分均匀性；工艺简单经济。

公开(公告)号：CN111848172B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202010722118.0

申请日：2020-07-24

Applicant: 厦门大学

Inventor： 姚荣迁 ,  黄雯燕 ,  郑艺浓 ,  韩宇宸 ,  韩浩哲 ,  安子一 ,  陈峰

IPC: C04B35/565 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷及其制备方法，涉及陶瓷材料制备。将先驱体PVG粉末置于石墨纸舟中在惰性气氛保护下高温裂解，将MoSi2和裂解后的SiC(rGO)p陶瓷颗粒、先驱体PVG粉末混合形成MoSi2/SiC(rGO)p/PVG混合物，然后在酒精介质中进行球磨混合均匀后置于烘箱中烘干；装入模具中模压成型，脱模后得素坯，放入惰性气氛管式炉内进行高温烧结，随炉冷却后即得到黑色的二硅化钼/碳化硅三维聚合物先驱体陶瓷，简称3D‑SiC(rGO,MoSi2x)纳米复合块体陶瓷，其中x为二硅化钼占整个素坯的质量分数。具有较高的热导率和电导率，良好成型性与成分均匀性；工艺简单经济。