公开(公告)号：CN109256364B

公开(公告)日：2020-11-27

申请号：CN201811202164.7

申请日：2018-10-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  龚丹 ,  蔡涵 ,  厦雁鸣 ,  胡鑫欣 ,  胡柳成 ,  王玮 ,  金玉丰 ,  陈兢

IPC: H01L23/427

Abstract: 本发明提出了基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构；利用射频前端‑TSV射频转接板‑结构件壳体实现低应力低热阻小型化高密度集成；采用高阻硅TSV转接板内嵌高效传热微结构填充高导热相变材料技术，并结合结构件壳体填充抗冲击高热导率复合相变材料，解决了高热流密度射频前端集成高效传热和抗冲击问题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。

公开(公告)号：CN109256364A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201811202164.7

申请日：2018-10-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 马盛林 ,  龚丹 ,  蔡涵 ,  厦雁鸣 ,  胡鑫欣 ,  胡柳成 ,  王玮 ,  金玉丰 ,  陈兢

IPC: H01L23/427

Abstract: 本发明提出了基于复合相变材料射频前端小型化集成散热的封装结构；利用射频前端-TSV射频转接板-结构件壳体实现低应力低热阻小型化高密度集成；采用高阻硅TSV转接板内嵌高效传热微结构填充高导热相变材料技术，并结合结构件壳体填充抗冲击高热导率复合相变材料，解决了高热流密度射频前端集成高效传热和抗冲击问题，进一步实现了高可制造性、高散热效率、高稳定性的三维射频异质集成应用，具有重要意义。