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公开(公告)号:CN119758500A
公开(公告)日:2025-04-04
申请号:CN202411851177.2
申请日:2024-12-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G02B5/08 , G02B1/115 , G02B5/28 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/10 , C23C14/14 , C23C14/35 , C23C14/46 , C23C14/30 , C23C16/40 , C23C16/44
Abstract: 本发明公开了一种激光薄膜结构及其制备方法。其中,该薄膜结构为第一介电层/金属层/第二介电层/基材层,其中,第二介电层由低折射率的介质材料和高折射率的介质材料交替沉积而成;该第二介电层结构表达式为H(LH)^s,其中H代表光学厚度为λ/4的高折射率的介质材料,L代表光学厚度为λ/4的低折射率的介质材料,s表示膜系周期数。本发明能够在提高伪装能力的同时,保证了优异的激光防护性能。