一种具有TiO2插入层的β-Ga2O3肖特基二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117393582A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311421209.0

    申请日:2023-10-30

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有TiO2插入层的β‑Ga2O3肖特基二极管及其制备方法。所述肖特基二极管包括设置于外延层与阳极金属电极之间经过热氧化Ti金属形成的TiO2层,该TiO2层的电子亲和势小于Ga2O3的电子亲和势,且介电常数为50‑100。本申请在外延层上生长Ti薄层后,热氧化该薄层以形成TiO2层,使得在金属和半导体之间引入一个TiO2层导致势垒高度降低。本申请在外延层上生长Ti薄层后,热氧化该薄层以形成TiO2层,使得在金属和半导体之间引入一个TiO2层,TiO2层具有合适的电子亲和势、较大的介电常数,可以显著提高肖特基二极管的击穿电压,使器件能够承受更高的反向电压,从而提高了器件的耐压特性。同时,TiO2层还维持了低导通电阻,使器件在导通状态下能够有效地传输电流。

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