-
公开(公告)号：CN105225928B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510533156.0
申请日：2015-08-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种氧化锌单晶薄膜的制备方法，涉及半导体微电子与光电子材料。1)衬底预处理；2)衬底表面处理；3)缓冲层的生长；在377℃温度条件下，同时通入无等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第一层缓冲层的生长；在255℃温度条件下，同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第二层缓冲层的生长；4)氧化锌薄膜的生长；同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行氧化锌薄膜的生长，即完成氧化锌单晶薄膜的制备。在立方相衬底上，通过调节氧化锌生长过程中初始生长时氧气的活性，极大改善了由于晶格不匹配导致结晶质量差的问题，同时抑制了缺陷发光强的缺点，也克服高温生长对设备和生长条件的苛刻要求。
-
公开(公告)号：CN105225928A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510533156.0
申请日：2015-08-27
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L21/02631
Abstract: 一种氧化锌单晶薄膜的制备方法，涉及半导体微电子与光电子材料。1)衬底预处理；2)衬底表面处理；3)缓冲层的生长；在377℃温度条件下，同时通入无等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第一层缓冲层的生长；在255℃温度条件下，同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行第二层缓冲层的生长；4)氧化锌薄膜的生长；同时通入等离子体激活的氧气和Zn金属源进行氧化锌薄膜的生长，即完成氧化锌单晶薄膜的制备。在立方相衬底上，通过调节氧化锌生长过程中初始生长时氧气的活性，极大改善了由于晶格不匹配导致结晶质量差的问题，同时抑制了缺陷发光强的缺点，也克服高温生长对设备和生长条件的苛刻要求。
-
公开(公告)号：CN114121596B
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202010873491.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/477 , H01L21/67
Abstract: 一种改变生长薄膜取向的方法，涉及真空蒸发沉积薄膜工艺。在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，将清洗后的样品置入快速进样室；利用机械泵和涡轮分子泵获得10‑8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。可解决昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等相关问题，并实现纯净、可控、精确生长。可在温度、气压等各项工艺参数不变的情况下，在相同材料上沉积出结晶取向不同的生长薄膜。
-
公开(公告)号：CN114121596A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010873491.6
申请日：2020-08-26
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/477 , H01L21/67
Abstract: 一种改变生长薄膜取向的方法，涉及真空蒸发沉积薄膜工艺。在室温下利用酒精、丙酮和去离子水对衬底进行清洗，在超声波清洗器中清洗以除去衬底表面的杂质，将清洗后的样品置入快速进样室；利用机械泵和涡轮分子泵获得10‑8mbar真空度的生长腔后，将衬底从快速进样室传送进生长设备的生长腔，在O气氛下对样品进行退火处理；同时通入等离子体激活的Zn金属源和Mg金属源进行2h的MgZnO薄膜的生长，生长完成后，将样品取出。可解决昂贵的六边形衬底、复杂的工艺条件以及极性和非极性的选择等相关问题，并实现纯净、可控、精确生长。可在温度、气压等各项工艺参数不变的情况下，在相同材料上沉积出结晶取向不同的生长薄膜。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.017 seconds)
