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公开(公告)号：CN114975959A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210711949.7
申请日：2022-06-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于切割废料硅循环利用技术领域，具体涉及一种利用光伏产业线切割废料硅制备硅/碳复合负极材料的方法，包括以下步骤：1)通过机械砂磨将微米尺寸的废料硅减小到亚微米；2)将减薄后的硅颗粒进行预氧化、化学提纯，得到纯化的硅颗粒；3)以蔗糖为碳源与纯化硅水热反应得到聚合物包覆硅颗粒的前驱体，离心洗涤完成固液分离，最后前驱体在氩气下热解得到硅/碳复合材料。该方法以低成本的光伏产业线切割废料硅、蔗糖为原料将导电的非晶碳层包覆在废料硅表面。碳层的包覆不仅能提高废料硅的导电性，同时能有效缓解废料硅在脱嵌锂过程中体积变化产生的内应力，提高复合材料的电化学稳定性。实现了废料硅的回收利用，适宜进一步推广应用。
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公开(公告)号：CN114975959B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210711949.7
申请日：2022-06-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明属于切割废料硅循环利用技术领域，具体涉及一种利用光伏产业线切割废料硅制备硅/碳复合负极材料的方法，包括以下步骤：1)通过机械砂磨将微米尺寸的废料硅减小到亚微米；2)将减薄后的硅颗粒进行预氧化、化学提纯，得到纯化的硅颗粒；3)以蔗糖为碳源与纯化硅水热反应得到聚合物包覆硅颗粒的前驱体，离心洗涤完成固液分离，最后前驱体在氩气下热解得到硅/碳复合材料。该方法以低成本的光伏产业线切割废料硅、蔗糖为原料将导电的非晶碳层包覆在废料硅表面。碳层的包覆不仅能提高废料硅的导电性，同时能有效缓解废料硅在脱嵌锂过程中
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公开(公告)号：CN101948130B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010502526.1
申请日：2010-10-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 一种氧化锌空心微米球及其制备方法。涉及无机纳米材料，提供一种氧化锌空心微米球及其制备方法。所述氧化锌空心微米球为粉末衍射标准联合委员会编号为36-1451的纤锌矿结构氧化锌，直径为5～8μm，球壁厚度为0.5～1μm。制备方法包括：将六水硝酸锌和六次甲基四胺溶于水中，得溶液A，再将柠檬酸钠加入溶液A中，得溶液B；将溶液B放入密闭的高压反应釜中，将高压反应釜放入干燥箱内进行水热反应；水热反应后冷却至室温，打开高压反应釜，将沉淀过滤，洗涤，干燥，即得氧化锌空心微米球。制备方法简便，低温，产出率高，样品位错密度小所述氧化锌空心微米球在药物释放、光催化和染料敏化太阳能电池等领域具有广阔的应用价值。
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公开(公告)号：CN102153089B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110131546.7
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片磷吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行磷扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得磷吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN113600825B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110829409.4
申请日：2021-07-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种微米级球形银粉的制备方法，包括以下步骤：S1，配制硝酸银溶液，向硝酸银溶液中加入柠檬酸三钠混匀，得前驱体溶液；S2，配制抗坏血酸溶液，向抗坏血酸溶液中加入阿拉伯树胶、聚乙烯吡咯烷酮及聚乙二醇，得还原剂溶液；S3，在20‑60℃且避光条件下，将前驱体溶液快速倾倒入还原剂溶液中，持续搅拌至反应完成，即得所述微米级球形银粉。该银粉球形度高，无片状、树枝状等不规则形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113600825A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110829409.4
申请日：2021-07-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种微米级球形银粉的制备方法，包括以下步骤：S1，配制硝酸银溶液，向硝酸银溶液中加入柠檬酸三钠混匀，得前驱体溶液；S2，配制抗坏血酸溶液，向抗坏血酸溶液中加入阿拉伯树胶、聚乙烯吡咯烷酮及聚乙二醇，得还原剂溶液；S3，在20‑60℃且避光条件下，将前驱体溶液快速倾倒入还原剂溶液中，持续搅拌至反应完成，即得所述微米级球形银粉。该银粉球形度高，无片状、树枝状等不规则形状。
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公开(公告)号：CN103526298A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310487182.5
申请日：2013-10-17
Applicant: 厦门大学
IPC: C30B33/02
Abstract: 直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法，涉及直拉单晶硅。将直拉单晶硅片进行高温、低温、高温三步热处理，形成洁净区；将经三步热处理的直拉单晶硅片铜沾污后分成三组，在氮气氛下，分别在700～750℃、850～950℃、1050～1150℃下热处理5～10min，以在直拉单晶硅片中引入铜杂质；将经热处理的直拉单晶硅片分别在氮气氛保护下1050～1150℃保温2～4h和在氩气氛保护下1200～1250℃保温30～60s，观察直拉单晶硅中洁净区的形成情况。根据直拉单晶硅片中引入铜杂质的温度不同，采取不同的热处理工艺，从而有效地避免洁净区中出现铜沉淀。对洁净区的保护效果好，重复性好。
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公开(公告)号：CN102153090B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110134292.4
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行硼扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得硼吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN102153090A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110134292.4
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行硼扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得硼吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN101723436B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910113125.4
申请日：2009-12-31
Applicant: 厦门大学
IPC: C01G9/02
Abstract: 自组装氧化锌空心球及其制备方法，涉及一种无机纳米材料的制备方法。提供一种自组装氧化锌空心球及其制备方法。自组装氧化锌空心球为JCPDS编号为36～1451的纤锌矿结构氧化锌，氧化锌空心球是由尺寸1～2μm的片状纳米结构组装而成，空心球的直径为5～20μm，空心球的球壁厚度为0.5～2μm。将六水硝酸锌和尿素溶于乙二醇和去离子水组成的混合溶剂中，搅拌溶解后配制成前躯体溶液；将前躯体溶液放入密闭的高压反应釜中，再将高压反应釜置入电热恒温鼓风干燥箱内进行溶剂热反应；溶剂热反应后冷却至室温，打开高压反应釜，将反应产物过滤，洗涤，干燥，得碱式碳酸锌前躯体；将碱式碳酸锌前躯体置于管式热处理炉中热处理。
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