公开(公告)号：CN104060327A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410305340.5

申请日：2014-06-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 徐进 ,  谢婷婷 ,  吕耀朝 ,  吉川

IPC: C30B33/00 ,  C30B33/02

Abstract: 硼掺杂直拉硅单晶p/p+外延片铜沾污后获得洁净区的方法，涉及硅单晶p/p+外延片。1)准备3组样品，将第1组样品浸入CuCl2溶液中进行铜沾污，然后分别在1100～1300℃N2，O2和Ar气氛下热处理，将第2、3组样品直接分别在1100～1300℃N2，O2和Ar气氛下热处理；2)将步骤1)热处理过的第2组样品进行铜沾污，然后在600～800℃下保温；将步骤1)热处理过的第1,3组样品直接在600～800℃下保温；3)将步骤2)处理过的第3组样品进行铜沾污，然后在900～1100℃下保温；将步骤2)处理过的第1,2组样品直接在900～1100℃下保温。

公开(公告)号：CN103526298A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310487182.5

申请日：2013-10-17

Applicant: 厦门大学

Inventor： 徐进 ,  吉川 ,  张光超 ,  谢婷婷

IPC: C30B33/02

Abstract: 直拉单晶硅中避免铜沉淀形成于洁净区的热处理方法，涉及直拉单晶硅。将直拉单晶硅片进行高温、低温、高温三步热处理，形成洁净区；将经三步热处理的直拉单晶硅片铜沾污后分成三组，在氮气氛下，分别在700～750℃、850～950℃、1050～1150℃下热处理5～10min，以在直拉单晶硅片中引入铜杂质；将经热处理的直拉单晶硅片分别在氮气氛保护下1050～1150℃保温2～4h和在氩气氛保护下1200～1250℃保温30～60s，观察直拉单晶硅中洁净区的形成情况。根据直拉单晶硅片中引入铜杂质的温度不同，采取不同的热处理工艺，从而有效地避免洁净区中出现铜沉淀。对洁净区的保护效果好，重复性好。