公开(公告)号：CN108622848A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710156275.8

申请日：2017-03-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 任斌 ,  刘博文 ,  刘守 ,  姚旭 ,  王磊

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种大面积、均匀的三维复合纳米结构及其制备方法，包括如下步骤：1、提供衬底；2、在衬底表面沉积第一金属层；3、将负性光刻胶均匀的旋涂在金属表面；4、采用全息光刻的方法在对负性光刻胶进行图案化曝光，并再经过显影、定影、氮气吹扫等步骤后得到大面积、均匀的周期性的光刻胶纳米柱阵列；5、采用电子束真空沉积技术进行第二次金属沉积。本发明的大面积均匀三维复合纳米结构和传统的纳米结构相比，拥有更大的比表面积，同时结合了纳米孔和光学纳米空腔的特点，可以耦合产生更多奇特的光电子学性质；且制备工艺简单、重现性好，并可以通过调节复合结构的周期、排列方式以及纳米空腔的尺寸来改变结构的光电子学性质。

公开(公告)号：CN108622848B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201710156275.8

申请日：2017-03-16

Applicant: 厦门大学

Inventor： 任斌 ,  刘博文 ,  刘守 ,  姚旭 ,  王磊

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G03F7/00

Abstract: 本发明公开了一种大面积、均匀的三维复合纳米结构及其制备方法，包括如下步骤：1、提供衬底；2、在衬底表面沉积第一金属层；3、将负性光刻胶均匀地旋涂在金属表面；4、采用全息光刻的方法在对负性光刻胶进行图案化曝光，并再经过显影、定影、氮气吹扫等步骤后得到大面积、均匀的周期性的光刻胶纳米柱阵列；5、采用电子束真空沉积技术进行第二次金属沉积。本发明的大面积均匀三维复合纳米结构和传统的纳米结构相比，拥有更大的比表面积，同时结合了纳米孔和光学纳米空腔的特点，可以耦合产生更多奇特的光电子学性质；且制备工艺简单、重现性好，并可以通过调节复合结构的周期、排列方式以及纳米空腔的尺寸来改变结构的光电子学性质。