公开(公告)号：CN116193970A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111412744.0

申请日：2021-11-25

Applicant: 厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  黄世明 ,  张波 ,  陈家栋 ,  赵永鑫

IPC: H10N50/01 ,  H10N50/20

Abstract: 一种利用缓冲层提高自旋注入效率的方法，涉及自旋电子学。在硅衬底上制备长条状单层石墨烯，再制备双层h‑BN并转移到单层石墨烯上作为隧穿层，旋涂PMMA，利用EBL系统曝光出铁磁电极形状，曝光结束后显影；将样品放入电子束/热蒸发复合镀膜系统，先用热蒸镀法预蒸镀低熔点金属铟作为缓冲层，再电子束蒸镀钴作为铁磁电极，200℃下氩气氛退火1h形成In/Co混溶合金界面，得有缓冲层的自旋阀器件。该方法形成铁磁电极层‑缓冲层‑隧穿层的无损界面，实现提高自旋注入效率。易于实现，成本低廉，操作难度和技术要求低，利于大规模产业化应用；方法通用性非常好，可推广至其他带有隧穿层的自旋电子器件中，提高器件自旋注入效率。

公开(公告)号：CN115148895B

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202111428295.9

申请日：2021-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  张波 ,  黄世明 ,  陈家栋 ,  赵永鑫

IPC: H10N52/00 ,  H10N52/80 ,  H10N52/01

Abstract: 无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管及制备方法，涉及半导体场效应晶体管器件。无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管由在SiO2/Si衬底上有刻蚀为霍尔十字架的单层石墨烯沟道和两个不同材料的异质结及两端的金属电极组成，注入端的异质结部分利用REE效应将电荷流转化为自旋流，通过扩散效应扩散到探测端，探测端的异质结再利用IREE效应将自旋流转化为电荷流，在探测端金属Ti/Au电极两端探测到电压信号，同时REE效应的强度可以通过背栅电压来调节，从而改变信号的大小，实现器件的开与关。避免蒸镀过程中的界面问题；无铁磁电极的注入，避免居里温度难以达到室温的问题。可通过栅压调节其强度，实现栅压可调的目的。

公开(公告)号：CN117723833A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311761361.3

申请日：2023-12-20

Applicant: 厦门大学

Inventor： 王其星 ,  曹艺严 ,  傅德颐 ,  王祥鹤 ,  张严铭 ,  杨礼鹏 ,  翟家辉

IPC: G01R27/02 ,  G01N27/04

Abstract: 本发明公开了一种实时测电阻率方法和装置以及设备。其中所述方法包括：将至少一个待测样品与至少一个电容串联，形成RC移相电路；向该RC移相电路输入交流电信号，并实时采集该RC移相电路的输入电压波形以及待测样品的输出电压波形；通过RC移相电路的输入电压波形以及待测样品的输出电压波形计算待测样品的电阻率。本发明采用RC移相电路测电阻，只要测得移相角#imgabs0#，就可以通过频率#imgabs1#和电容#imgabs2#的值得到电阻#imgabs3#的值。该方法误差较小，后续可直接连接数据采集卡，向电脑进行数据传输进一步减小读数时的偶然误差。测量大电阻时通过调整电路频率和电容大小将测量量放大，以获得更多有效位数，且可以测量变化电阻，实时性强。

公开(公告)号：CN118173610A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410161085.5

申请日：2024-02-05

Applicant: 昆山厦大创新中心 ,  厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  赵永鑫 ,  胡晋威 ,  朱莲英 ,  宇文明 ,  张荣

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种二维材料场效应晶体管器件及其制备方法。其中，所述方法包括：该器件栅介质层采用固态质子导体膜；该固态质子导体膜在电场影响下，产生H+质子。本发明通过制备固态质子导体作为栅介质，施加一个电场，固态质子导体膜会通过去质子化的过程提供一个H+质子，在外部电场的驱动下，H+质子会移动到介质/电极界面，并且和界面处的电子产生静电耦合，利用固态质子较大的特殊电容，可以在二维材料层诱导出较大的二维电荷密度，并且在低电压下可以实现高跨导，能够极大的提升器件的性能。

公开(公告)号：CN117825329A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311871969.1

申请日：2023-12-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 郑晅丽 ,  傅德颐 ,  张艺腾 ,  朱子辰 ,  郑谦

IPC: G01N21/41 ,  G01N21/01

Abstract: 本发明公开了一种测量溶液浓度的光学装置及方法，涉及浓度测量技术领域，基于经典折射和色散理论，设计了一个可使光路发生平移的棱柱形透光容器，并以此为基础搭建了一套用于自动化测量溶液浓度的光学装置。本发明首先利用该装置测量已知浓度的透明溶液的折射率，建立“折射率‑浓度”关系模型，然后通过测量未知浓度溶液的折射率并结合所建立的定量关系式，实现溶液浓度的高精度测量。在此基础上，本发明还利用两束不同波长的激光实现对多溶质混合溶液各组分浓度的同步测量，为未知溶液浓度的测量提供了一种简单、有效的解决方案，且自动化强，精度高，便于工业化推广，同时也为折射和色散理论的教学提供了一种新颖有趣的实验方案。

公开(公告)号：CN115148895A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202111428295.9

申请日：2021-11-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 傅德颐 ,  张波 ,  黄世明 ,  陈家栋 ,  赵永鑫

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/14

Abstract: 无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管及制备方法，涉及半导体场效应晶体管器件。无铁磁电极的全二维室温自旋场效应晶体管由在SiO2/Si衬底上有刻蚀为霍尔十字架的单层石墨烯沟道和两个不同材料的异质结及两端的金属电极组成，注入端的异质结部分利用REE效应将电荷流转化为自旋流，通过扩散效应扩散到探测端，探测端的异质结再利用IREE效应将自旋流转化为电荷流，在探测端金属Ti/Au电极两端探测到电压信号，同时REE效应的强度可以通过背栅电压来调节，从而改变信号的大小，实现器件的开与关。避免蒸镀过程中的界面问题；无铁磁电极的注入，避免居里温度难以达到室温的问题。可通过栅压调节其强度，实现栅压可调的目的。