公开(公告)号：CN103531649B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210233262.3

申请日：2012-07-06

Applicant: 原相科技股份有限公司

Inventor： 刘汉琦 ,  潘焕堃 ,  冈本英一

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种可有效地提高紫外线感测的质量，达到高讯噪比的效果的紫外线感测元件，可使用于三晶体管影像感测电路中，包括：一第一导电型基材，具有一受光面以供接收受感测光；一第二导电型掺杂区，设置于该第一导电型基材内且邻接于该受光面；以及一高浓度第一导电型掺杂区，邻接于该第二导电型掺杂区下方。亦提供可使用于四晶体管影像感测电路中的另一种紫外线感测元件。还提供上述元件的制作方法。本发明的紫外线感测元件及制作方法，利用邻接于第二导电型掺杂区下的高浓度第一导电型掺杂区，形成一电位障碍，使来自较长波段光线的漂移光电子不易通过电位障碍而进入浅层的第二导电型掺杂区，减少干扰紫外线波段的讯号判读而增加讯噪比。

公开(公告)号：CN105097854A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201410704352.5

申请日：2014-11-27

Applicant: 原相科技股份有限公司

Inventor： 黄森煌 ,  潘焕堃 ,  张义昌 ,  陈经纬

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1462 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14685

Abstract: 一种具有改善光吸收效率的前感光式半导体结构，其可通过在前感光式半导体结构底层附加一层光反射层来提高光吸收效率；其中，该反射层可在封装过程或半导体工艺中制作。

公开(公告)号：CN103531649A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210233262.3

申请日：2012-07-06

Applicant: 原相科技股份有限公司

Inventor： 刘汉琦 ,  潘焕堃 ,  冈本英一

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01L27/146

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/101 ,  H01L27/146 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种紫外线感测元件，可供使用于三晶体管影像感测电路中，其包括第一导电型基材、第二导电型掺杂区、以及高浓度第一导电型掺杂区。第一导电型基材具有受光面。第二导电型掺杂区设置于第一导电型基材内且邻接于受光面。高浓度第一导电型掺杂区，邻接于第二导电型掺杂区下方。本发明亦提供可使用于四晶体管影像感测电路中的另一种紫外线感测元件，其与连接三晶体管影像感测电路的紫外线感测元件相较，更增加高浓度第一导电型表面掺杂区，夹置于受光面与第二导电型掺杂区之间。此外，前述的紫外线感测元件的制作方法亦被提出。