公开(公告)号：CN117795624A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202280055227.9

申请日：2022-07-22

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司 ,  卡尔蔡司X光显微镜股份有限公司

Inventor： J·鲁夫 ,  J·阿特金森莫拉 ,  T·A·卡斯 ,  H·费尔德曼 ,  C·H·格拉夫沃姆哈根 ,  T·M·格雷戈里奇 ,  G·克兰佩特

IPC: G21K7/00 ,  H01J37/244

Abstract: 一种将X射线照射的对象成像的成像光学配置。成像光学设备用于将场平面中的传输场成像到检测平面内的检测场。闪烁体材料层配置于该传输场处。光阑配置于该成像光学设备的光瞳平面内。该成像光学设备具有光学轴。该光阑的光阑开口的中心配置在相对于该光学轴的偏心距离处。此成像光学配置确保该对象的高质量成像，而不管进入该传输场的X射线如何倾斜。该成像光学配置为更含有检测阵列及载物台的检测组合件的一部分。此检测组合件为更含有X射线源的检测系统的一部分。

公开(公告)号：CN116868129A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202280011254.6

申请日：2022-01-05

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： H·费尔德曼 ,  S·亨巴赫

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种用于光刻设备(100A、100B)的光学系统(200)，具有光学元件(202)，该光学元件包括衬底(204)、设置在衬底(204)上的光学有效区域(210、210’)以及多个通道(212、212’、214、214’、212A、214A、212B、214B、212C、214C、212D、214D、212E、214E、212F、214F、212G、214G、212H、214H、212J、214J、212I、214I)，所述通道延伸穿过衬底(204)，并且可以通过流体(F)向所述多个通道施加压强(p)。初始表面轮廓(P1)和不同于初始表面轮廓(P1)的目标表面轮廓(P2)与光学有效区域(210、210’)相关联，并且光学有效区域(210、210’)可以借助于压强的施加和导致的通道(212、212’、214、214’、212A、214A、212B、214B、212C、214C、212D、214D、212E、214E、212F、214F、212G、214G、212H、214H、212J、214J、212I、214I)的变形从初始表面轮廓(P1)切换到目标表面轮廓(P2)。

公开(公告)号：CN119781253A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202411363220.0

申请日：2024-09-27

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： H·费尔德曼

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/70

Abstract: 本发明涉及一种用于操作微光刻投射曝光设备（1）的方法，其中为了至少部分地补偿由于例如偶极照明（300）的程度而产生且最终导致成像对比度的不希望的损失（M3D效应）的图像偏移，提供以下：场相关照明，其中用不同照明设定照明物平面（6）的不同场区域，以及在将物平面成像到像平面（12）上期间产生场相关图像偏移。这里，场相关照明和场相关图像偏移之间的相互作用可能导致成像对比度的损失总体上降低。场相关照明可例如通过照明装置（2）中的MEMS分面反射镜（20）来实施，且场相关图像偏移可例如通过水平和/或垂直掩模失真结合自适应馈送修改来实施。

公开(公告)号：CN101263432B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200680033920.7

申请日：2006-09-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： M·托特泽克 ,  S·贝德 ,  W·克劳斯 ,  H·费尔德曼 ,  D·克拉默 ,  A·多多克

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G02B5/3083 ,  G02B27/286 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70966

Abstract: 根据本发明的一个方面，一种光学系统，特别是微光刻曝光系统的照明系统或投影透镜，具有光学系统轴(0A)和由三个双折射元件(211，212，213)构成的至少一个元件组(200)，每个双折射元件由光学单轴材料制成并具有非球面，其中所述组的第一双折射元件(211)具有其光学晶轴的第一取向；所述组的第二双折射元件(212)具有其光学晶轴的第二取向，其中所述第二取向能够被描述为由所述第一取向的旋转形成，所述旋转不对应于绕光学系统轴旋转90°或其整数倍的角的旋转；所述组的第三双折射元件(213)具有其光学晶轴的第三取向，其中所述第三取向能够被描述为由所述第二取向的旋转形成，所述旋转不对应于绕光学系统轴旋转90°或其整数倍的角的旋转。

公开(公告)号：CN119575752A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411809750.3

申请日：2021-06-17

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： J·罗夫 ,  H·费尔德曼 ,  U·马特卡 ,  T·塔勒 ,  S·波利茨 ,  魏少迟 ,  J·F·布卢姆里奇 ,  M·德冈瑟

IPC: G03F1/84 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及用于表征微光刻掩模的设备和方法。根据一个方面，根据本发明的设备包括：发射相干光的至少一个光源(105、205、405a、405b、605)；照明光学单元(110、210、310、311、410、510、610、710、810)，其从至少一个光源的相干光在掩模(120、220、620、720、820)上产生衍射限制的光斑；扫描装置，通过扫描装置可以实现衍射限制的光斑相对于掩模的扫描移动；传感器单元(130、230、630、730、830)；以及评估单元，用于评估入射到传感器单元上且来自掩模的光；输出耦合元件(140、240、340)，用于耦合出由至少一个光源发射的相干光的一部分(145、245)；以及强度传感器(150、250)，用于捕获该输出耦合部分(145、245)的强度。

公开(公告)号：CN102207691B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110147181.7

申请日：2006-09-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： M·托特泽克 ,  S·贝德 ,  W·克劳斯 ,  H·费尔德曼 ,  D·克拉默 ,  A·多多克

IPC: G03F7/20 ,  G02B5/30 ,  G02B27/26

CPC classification number: G02B5/3083 ,  G02B27/286 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70966

Abstract: 本发明提供了一种微光刻投影曝光装置，包括照明系统和投影透镜，其中所述照明系统和/或所述投影透镜包括光学元件，所述光学元件包括嵌入在第二透镜部件(942b)中的第一透镜部件(942a)，其中所述第一透镜部件(942a)由在λ≈193nm处折射率大于1.7的立方晶体材料制成，并且其中所述第二透镜部件(942b)由光学各向同性材料制成。

公开(公告)号：CN102207691A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110147181.7

申请日：2006-09-13

Applicant: 卡尔蔡司SMT有限责任公司

Inventor： M·托特泽克 ,  S·贝德 ,  W·克劳斯 ,  H·费尔德曼 ,  D·克拉默 ,  A·多多克

IPC: G03F7/20 ,  G02B5/30 ,  G02B27/26

CPC classification number: G02B5/3083 ,  G02B27/286 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70966

Abstract: 本发明提供了一种微光刻投影曝光装置，包括照明系统和投影透镜，其中所述照明系统和/或所述投影透镜包括光学元件，所述光学元件包括嵌入在第二透镜部件(942b)中的第一透镜部件(942a)，其中所述第一透镜部件(942a)由在λ≈193nm处折射率大于1.7的立方晶体材料制成，并且其中所述第二透镜部件(942b)由光学各向同性材料制成。