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公开(公告)号：CN117431611A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311423853.1
申请日：2023-10-31
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
IPC分类号： C25F3/14 , B23K26/382 , C25F3/04
摘要： 本发明涉及电极箔制造技术领域，尤其是一种高压腐蚀箔制备方法，大致包括以下步骤：清洁铝箔；在铝箔表面上成型激光预处理保护层；对铝箔执行激光打孔处理，以成型孔洞；将铝箔依序浸入低浓度酸性发孔液、低浓度酸性扩孔液，以执行发孔、扩孔处理；清洁后即得到腐蚀箔成品。如此，一方面，高压腐蚀箔成品的内部仅存留有数量极少的无效短孔，且对其预先执行激光打孔操作，高压腐蚀箔成品上不同区域内的孔洞分布密度趋于一致；另一方面，大幅度地缩短了铝箔发孔和扩孔阶段所用总时长，且有效地减少了酸性发孔液、酸性扩孔液以及电能的消耗量，利于降低环保处理成本；再一方面，经检测，所制备的腐蚀箔成品具有更为优良的耐高压性能和机械性能。
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公开(公告)号：CN115184416A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210717045.5
申请日：2022-06-23
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种制备铝电极箔所用槽液的磷酸根离子测定系统，包括钴离子选择电极、饱和甘汞电极、PH计以及电化学分析仪。在磷酸根离子测定阶段，钴离子选择电极竖插于化成槽液中，且与电化学分析仪的参比电极接口相电连接。与钴离子选择电极相并排而置的饱和甘汞电极亦竖插于化成槽液中，且与电化学分析仪的正极接口相电连接。通过采用上述技术方案进行设置，可实现对化成槽液PH值以及磷酸根离子浓度的在线、现场测定，利于技术人员后续根据具体测定数据以精准地对磷酸溶液进行组分微调，以确保槽液PH值以及磷酸根离子浓度值满足铝电极箔的化成设计要求。另外，本发明还公开了一种制备铝电极箔所用槽液的磷酸根离子测定方法。
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公开(公告)号：CN111613446A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010504840.7
申请日：2020-06-05
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
IPC分类号： H01G9/00 , H01G9/045 , H01G9/055 , C25D11/12 , C25D11/24 , C25D11/18 , C25D11/06 , C25D21/04
摘要： 本发明公开一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法，在电化学氧化过程中加入超声处理步骤，加速反应过程中孔隙内气泡的溶出，减少了氧化膜缺陷的产生，在热处理环节，采用微波加热的方式替代传统的烘箱，选择性地针对高含水量的区域进行加热，进一步提升了氧化膜的均匀性和致密性。与利用常规的化成工艺制备的铝箔相比，利用本发明公开方法制备的铝箔的耐水合性能可提升50~80%，使用寿命延长至20000小时。
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公开(公告)号：CN118028937A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410109879.7
申请日：2024-01-26
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及腐蚀箔生产技术领域，具体涉及一种偏析法产光箔氧化膜前处理方式。本发明的偏析法产光箔氧化膜前处理方式通过将氨基氯苯酚缩醛‑7‑羟基‑8香豆素醛加入到前处理液中，使得铝箔表面形成分布均匀的起始发孔缺陷位点，解决了后续电腐蚀表面蚀孔分部不均匀、出现色差以及隧道孔长度不一致的问题、使得成品腐蚀箔的表面无效并孔减少成品腐蚀箔，隧道孔分布更加均匀，从而使得无效生长残芯变少。本发明的偏析法产光箔氧化膜前处理方式在腐蚀箔生产技术领域，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN114808076B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202210538173.3
申请日：2022-05-18
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及弯曲性能良好电极箔的制备方法，步骤如下：腐蚀箔的制备；将腐蚀箔浸于含有N‑丁基‑N‑甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐的一次化成液中，微电流下进行化成，制成一级化成箔；将一级化成箔浸于含有超量缓蚀剂的二次化成液中，制成二级化成箔；对二级化成箔进行水洗，且烘干处理；经冷却后，即得电极箔成品。在一次化成阶段，N‑丁基‑N‑甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐产生同离子协同效应使得一级化成液在腐蚀箔表面形成均匀的双电层，使得腐蚀从蚀刻坑中均匀铺展开，从而使得腐蚀反应得以匀速进行，进而有效地减少了残芯过度腐蚀现象，使得成品电极箔的弯曲性能得到大幅度地提升。
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公开(公告)号：CN114703526B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210632100.0
申请日：2022-06-07
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及汽车电子用高比容低压电极箔的制备方法，包括以下步骤：首先对腐蚀箔依序执行一级化成、二级化成、三级化成以及四级化成操作，且单次化成执行中均分别对所用电压、温度、时间以及化成液组分、配比进行调整，且一级化成时加入胺类处理液，以大幅度地提升成型氧化膜中氧化铝结晶的含量，随后，将化成箔多次浸于磷酸盐溶液中执行后处理操作，以对成型氧化膜上残存的瑕疵点进行修复。如此一来，不但可有效地提升电极箔的水煮寿命，而且还为铝电极箔电比容的大幅度提升了作良好的铺垫。
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公开(公告)号：CN114808076A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210538173.3
申请日：2022-05-18
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及弯曲性能良好电极箔的制备方法，步骤如下：腐蚀箔的制备；将腐蚀箔浸于含有N‑丁基‑N‑甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐的一次化成液中，微电流下进行化成，制成一级化成箔；将一级化成箔浸于含有超量缓蚀剂的二次化成液中，制成二级化成箔；对二级化成箔进行水洗，且烘干处理；经冷却后，即得电极箔成品。在一次化成阶段，N‑丁基‑N‑甲基哌啶双(三氟甲烷磺酰)亚胺盐产生同离子协同效应使得一级化成液在腐蚀箔表面形成均匀的双电层，使得腐蚀从蚀刻坑中均匀铺展开，从而使得腐蚀反应得以匀速进行，进而有效地减少了残芯过度腐蚀现象，使得成品电极箔的弯曲性能得到大幅度地提升。
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公开(公告)号：CN111613446B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010504840.7
申请日：2020-06-05
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
IPC分类号： H01G9/00 , H01G9/045 , H01G9/055 , C25D11/12 , C25D11/24 , C25D11/18 , C25D11/06 , C25D21/04
摘要： 本发明公开一种高耐水性低压阳极箔的化成处理方法，在电化学氧化过程中加入超声处理步骤，加速反应过程中孔隙内气泡的溶出，减少了氧化膜缺陷的产生，在热处理环节，采用微波加热的方式替代传统的烘箱，选择性地针对高含水量的区域进行加热，进一步提升了氧化膜的均匀性和致密性。与利用常规的化成工艺制备的铝箔相比，利用本发明公开方法制备的铝箔的耐水合性能可提升50~80%，使用寿命延长至20000小时。
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公开(公告)号：CN114141541A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111503766.8
申请日：2021-12-10
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
IPC分类号： H01G9/045
摘要： 本发明涉及一种电极箔光边成型方法，覆膜液利用高压静电场而附着于铝箔表面上，以在指定区域成型出用作“光边”的耐腐蚀镀膜层。覆膜液的制备方法包括以下步骤：将氧化石墨烯和离子水混合均匀；继续滴入1‑乙基‑（3‑二甲基氨基丙基）碳酰二亚胺盐酸盐，搅拌至混合均匀；继续加入聚乙烯亚胺，且搅拌至混合均匀，去杂质后即制备出极性离子液；与此同时，将N,N‑二甲基甲酰胺与聚甲基丙烯酸甲酯相混合均由，以制备出透明胶状体；将极性离子液和透明胶状体混合均匀即得到覆膜液。因覆膜液中含有大量的带有正电荷的极性离子，当其受到高压电场作用时，极性离子因受到电场力可自发地朝着铝箔执行定向位移运动，以利于形成厚薄度一致的“光边”。
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公开(公告)号：CN110565140A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910879685.4
申请日：2019-09-18
申请人： 南通海星电子股份有限公司 , 南通海一电子有限公司 , 宁夏海力电子有限公司
摘要： 本发明涉及一种高介电常数复合膜铝箔的制备方法，包括以下步骤：a）、配制喷涂液：将高介电常数纳米颗粒材料加入溶剂中，超声分散得到均匀的纳米颗粒溶液或溶胶；b）、超声雾化喷涂：通过超声雾化装置将喷涂液均匀喷涂在腐蚀箔表面，形成一层均匀的高介电常数氧化膜；c）、阳极氧化处理：将b）中处理过的所述腐蚀箔在电解质溶液中进行阳极氧化化成处理，即得到高介电常数复合膜。本发明具有利用超声雾化喷涂得到高介电常数层，经化成后得到复合氧化膜，比常规的三氧化二铝膜介电性能更好，进一步之制成的铝电解电容器比容提升达到20~50%，方法操作简便，成本低廉，制备得到的复合氧化膜均匀一致性高，能跟工业大规模生产联动的优点。
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