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公开(公告)号:CN113151821B
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202110421859.X
申请日:2021-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C24/10
Abstract: 本发明公开了一种控制涂层非晶纳米晶含量的表面改性方法,该方法具体为将相差几个数量级大小的两种非晶粉末制成核壳结构的非晶颗粒,然后通过电阻熔覆工艺将核壳结构的非晶颗粒焊接到试样表面形成非晶纳米晶涂层。通过改变大小两种非晶粉末的比例,以及焊接实验相关参数,达到调控涂层非晶纳米晶含量的目的。本发明能够解决现有技术中无法精准调控涂层非晶和纳米晶的含量的技术问题。通过改变涂层非晶纳米晶含量以达到不同环境对涂层性能的需求,而且所制备非晶纳米晶涂层紧密,操作简单易行,工作效率高,成本低,便于在相关工业领域推广应用。
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公开(公告)号:CN113151821A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN202110421859.X
申请日:2021-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C24/10
Abstract: 本发明公开了一种控制涂层非晶纳米晶含量的表面改性方法,该方法具体为将相差几个数量级大小的两种非晶粉末制成核壳结构的非晶颗粒,然后通过电阻熔覆工艺将核壳结构的非晶颗粒焊接到试样表面形成非晶纳米晶涂层。通过改变大小两种非晶粉末的比例,以及焊接实验相关参数,达到调控涂层非晶纳米晶含量的目的。本发明能够解决现有技术中无法精准调控涂层非晶和纳米晶的含量的技术问题。通过改变涂层非晶纳米晶含量以达到不同环境对涂层性能的需求,而且所制备非晶纳米晶涂层紧密,操作简单易行,工作效率高,成本低,便于在相关工业领域推广应用。
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公开(公告)号:CN106392907A
公开(公告)日:2017-02-15
申请号:CN201610952354.5
申请日:2016-10-27
Applicant: 南昌大学
CPC classification number: B24D3/08 , B24D18/0009
Abstract: 本发明公开了一种基于自蔓延反应快速制备致密超硬磨具与钻具的方法,所述超硬磨具与钻具的外径为4–100 mm,所述超硬磨具与钻具的结构分为工作层和基体两个部分,所述工作层组分包括金属结合剂和超硬磨料,所述金属结合剂包括Al、Ti、Cu、Fe、Sn、Ni、Co。所述基于自蔓延反应的致密超硬磨具与钻具的快速制备方法包括混料、压制成型、通过感应加热基体和石墨模的方式引发自蔓延反应并在反应刚完成时施以高压等步骤。本发明致密超硬磨具与钻具的胎体结合剂与金刚石界面结合强度高,金刚石力学性能损失小,胎体致密度高,具有加工效率高、耐磨性能好、使用寿命长等优点。
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公开(公告)号:CN114664769B
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202210241609.2
申请日:2022-03-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/433
Abstract: 一种硅基微通道散热器,由底座、微通道基板、微通道盖板及上盖等组成。微通道底座上有开孔,微通道基板放置在底座的开孔中,使得微通道基板可以与热源面直接接触,同时又可以保护硅基微通道基板。微通道基板上刻蚀有微通道。微通道盖板与底座沉槽形状尺寸一致,盖板上设有工质入口和工质出口,微通道基板与微通道盖板通过键合方式密封连接,微通道盖板放置在底座上方。上盖上方设有工质入口和工质出口,下方凸台形状与底座沉槽形状尺寸一致,上盖与底座连接后上盖的凸台压住微通道盖板,使微通道基板与热源表面良好接触。本发明结构紧凑,改善了硅基微通道的实际使用,具有较高的换热能力,对使用硅材料制作微通道基板的散热器具有一定的普适性。
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公开(公告)号:CN114664769A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202210241609.2
申请日:2022-03-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L23/473 , H01L23/433
Abstract: 一种硅基微通道散热器,由底座、微通道基板、微通道盖板及上盖等组成。微通道底座上有开孔,微通道基板放置在底座的开孔中,使得微通道基板可以与热源面直接接触,同时又可以保护硅基微通道基板。微通道基板上刻蚀有微通道。微通道盖板与底座沉槽形状尺寸一致,盖板上设有工质入口和工质出口,微通道基板与微通道盖板通过键合方式密封连接,微通道盖板放置在底座上方。上盖上方设有工质入口和工质出口,下方凸台形状与底座沉槽形状尺寸一致,上盖与底座连接后上盖的凸台压住微通道盖板,使微通道基板与热源表面良好接触。本发明结构紧凑,改善了硅基微通道的实际使用,具有较高的换热能力,对使用硅材料制作微通道基板的散热器具有一定的普适性。
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公开(公告)号:CN118471922A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410640865.8
申请日:2024-05-22
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/40
Abstract: 本发明公开了一种热点定向冷却的歧管式微通道热沉,涉及微通道热沉结构领域,包括微通道基板、分流歧管和上层盖板,微通道基板上设有微通道、针鳍和分液平台;分流歧管设于微通道基板和上层盖板之间,分流歧管包含分流挡板、入口通道、出口通道、歧管进液通道和歧管出液通道;分流挡板置于歧管进液通道之中,用于调整流体流动分布;入口通道和出口通道分别位于微通道基板两侧,并分别与工质入口和工质出口连通;该种热点定向冷却的歧管式微通道热沉,利用特殊结构以及流量的不均匀分配,强化热点区域的散热能力,并提高系统温度分布的均匀性。
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公开(公告)号:CN114664768A
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202210241608.8
申请日:2022-03-13
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L23/46 , H01L23/367
Abstract: 一种肋板针鳍组合式微通道散热器,包括微通道基板和盖板;所述的微通道基板,包括针鳍、肋板、分流通道、子通道、汇流通道和侧壁;针鳍分布在热点上方,肋板布置在针鳍左右两侧,针鳍上下两侧留出大面积的分流通道;肋板与微通道侧壁之间设置汇流通道;所述的盖板包括一个冷却工质入口和两个冷却工质出口;冷却工质入口位于微通道基板的针鳍的上方,两个冷却工质出口位于肋板与侧壁之间形成的汇流通道的上方。本发明结合了针鳍结构散热能力强和肋板微通道压力下降小的优点,在泵送功耗较小的情况下,有效的控制了热点区域的温升,且使得散热器底壁面温度较为均匀,电子元器件温度均匀性同样得到改善,有利于延长电子元器件使用寿命。
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公开(公告)号:CN113510484A
公开(公告)日:2021-10-19
申请号:CN202110421684.2
申请日:2021-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: B23P23/04
Abstract: 本发明提供一种增材和减材复合制造系统,包括密封外壳、控制模块、成型模块、送料模块和工作台,所述成型模块和所述工作台设置于所述密封外壳内,所述送料模块输送物料至工作台上,所述成型模块包括增材机构和减材机构,所述工作台连接有导线,在成型时所述增材机构与所述物料接触并施加压力,所述增材机构与所述物料和所述工作台形成闭合回路,所述物料在电阻热和压力的作用下形成三维实体,所述减材机构对所述三维实体进行减材处理,所述控制模块统筹控制所述增材机构和所述送料模块,通过设置的增材机构对三维实体进行成型,再通过减材机构对成型的三维实体进行减材,从而提高成型效率的同时,提高了一体成型的精度,避免了二次加工。
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公开(公告)号:CN107984085A
公开(公告)日:2018-05-04
申请号:CN201711135921.9
申请日:2017-11-16
Applicant: 南昌大学
IPC: B23K26/346 , B23K26/60 , B23K26/70
CPC classification number: B23K26/346 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供的一种异质金属激光-超声复合焊接方法及装置,结合激光焊接和超声固结两项高新技术:将待焊异质材料搭接形成搭接接头,使用激光焊接对待焊部位进行焊接,达到连接目的。在焊接接头温度为上层母材熔点的10%-30%下,施加超声焊接,达到接头的高效连接。本发明公开的一种异质金属激光-超声复合焊接方法及装置,不但能克服传统焊接方法在异质材料焊接中形成脆性接头的问题,及单一采用高能束焊接虽可部分抑制金属间化合物的大量形成,但接头强度仍旧不高的问题;而且还能克服超声固结仅适应于低熔点薄板焊接等难于克服的困难。
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公开(公告)号:CN113510484B
公开(公告)日:2022-12-13
申请号:CN202110421684.2
申请日:2021-04-20
Applicant: 南昌大学
IPC: B23P23/04
Abstract: 本发明提供一种增材和减材复合制造系统,包括密封外壳、控制模块、成型模块、送料模块和工作台,所述成型模块和所述工作台设置于所述密封外壳内,所述送料模块输送物料至工作台上,所述成型模块包括增材机构和减材机构,所述工作台连接有导线,在成型时所述增材机构与所述物料接触并施加压力,所述增材机构与所述物料和所述工作台形成闭合回路,所述物料在电阻热和压力的作用下形成三维实体,所述减材机构对所述三维实体进行减材处理,所述控制模块统筹控制所述增材机构和所述送料模块,通过设置的增材机构对三维实体进行成型,再通过减材机构对成型的三维实体进行减材,从而提高成型效率的同时,提高了一体成型的精度,避免了二次加工。
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