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公开(公告)号：CN117222242A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311325418.5
申请日：2023-10-13
IPC分类号： H10K50/115 , H10K50/14 , H10K50/85
摘要： 本申请属于发光二极管技术领域，尤其涉及基于超表面谐振腔的全彩色量子点发光二极管及制备方法和显示器件；本申请提供的基于超表面谐振腔的全彩色量子点发光二极管利用顶电极上表面的超表面结构与金属电极形成谐振腔实现对特定光波长的选择出射，从而实现全彩化的QLED，采用超表面进行相位调控将竖直方向上的物理厚度差异转化为水平方向上的尺度差异，替代了传统的法布里‑珀罗腔的引入相位调节层的复杂设置，从而解决现有技术中光学谐振腔需引入相位调节层导致结构复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN113314623A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110726677.3
申请日：2021-06-29
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y40/00
摘要： 本发明提供了一种基于亚波长尺度叉指电极的光电探测器及其制备方法，所述的光电探测器包括层叠设置的衬底、叉指电极和有源层，电极层包括相对设置的两个呈齿状结构的电极片，电极片的齿状结构相对且交错设置，形成蛇形沟道；有源层与电极层接触的一侧嵌入电极层的蛇形沟道内，蛇形沟道的宽度大于等于所述有源层中载流子的扩散长度。通过亚波长尺度的电极沟道宽度更窄，电极厚度更大，将光吸收和载流子提取方向解耦合；此外，有源层形成光栅结构，通过调控局域光场强度增强工作区域的光吸收，进一步地，可通过选择有源层材料、材料颗粒尺寸或者叉指电极尺寸，调控有源层光栅结构的吸收特性，从而可以针对性的选择增强某个波长的高探测响应度。
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公开(公告)号：CN221283670U
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202322749940.8
申请日：2023-10-13
IPC分类号： H10K50/115 , H10K50/14 , H10K50/85
摘要： 本申请属于发光二极管技术领域，尤其涉及基于超表面谐振腔的全彩色量子点发光二极管和显示器件；本申请提供的基于超表面谐振腔的全彩色量子点发光二极管利用位于底电极上表面或顶电极上表面的像素化的拓扑结构等超表面结构与金属电极形成谐振腔实现对特定光波长的选择出射，从而实现全彩化的QLED，采用超表面进行相位调控将竖直方向上的物理厚度差异转化为水平方向上的尺度差异，替代了传统的法布里‑珀罗腔的引入相位调节层的复杂设置，从而解决现有技术中光学谐振腔需引入相位调节层导致结构复杂的技术问题。
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公开(公告)号：CN216288475U
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202121458939.4
申请日：2021-06-29
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/0352 , H01L31/09 , H01L31/18 , B82Y40/00
摘要： 本实用新型提供了一种基于亚波长尺度叉指电极的光电探测器，所述的光电探测器包括层叠设置的衬底、叉指电极和有源层，电极层包括相对设置的两个呈齿状结构的电极片，电极片的齿状结构相对且交错设置，形成蛇形沟道；有源层与电极层接触的一侧嵌入电极层的蛇形沟道内，蛇形沟道的宽度大于等于所述有源层中载流子的扩散长度。通过亚波长尺度的电极沟道宽度更窄，电极厚度更大，将光吸收和载流子提取方向解耦合；此外，有源层形成光栅结构，通过调控局域光场强度增强工作区域的光吸收，进一步地，可通过选择有源层材料、材料颗粒尺寸或者叉指电极尺寸，调控有源层光栅结构的吸收特性，从而可以针对性的选择增强某个波长的高探测响应度。
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公开(公告)号：CN114497416A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210084550.0
申请日：2022-01-25
申请人： 南方科技大学
摘要： 本申请公开了一种显示器件及其制备方法，本申请的显示器件包括基板、反射层、第一微腔调节层、第一半透明金属层、第二微腔调节层和第二半透明金属层。反射层设置于基板表面；第一微腔调节层设置于反射层远离基板的一侧；第一半透明金属层设置于第一微腔调节层远离反射层的一侧；第二微腔调节层设置于第一半透明金属层远离第一微腔调节层的一侧；第二半透明金属层设置于第二微腔调节层远离第一半透明金属层的一侧。本申请通过设置第一微腔调节层来调节广角干涉、设置第二微腔调节层来调节多光束干涉，使得广角干涉和多光束干涉在目标光谱形成相长干涉，从而对微腔效应进行优化，提高显示器件的取光效率；此外，能够窄化光谱、提高色纯度。
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公开(公告)号：CN111969072A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010827837.9
申请日：2020-08-17
申请人： 南方科技大学
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种基于量子点光栅增强的光电探测器及其制备方法和探测光的调整方法，所述基于量子点光栅增强的光电探测器包括依次连接的电极层、量子点层、量子点高折射率光栅结构层及低折射率光栅结构层；量子点高折射率光栅结构层的存在使得基于量子点光栅增强的光电探测器对长波长光的吸收率提高，且对长波长的光的探测响应度明显提升，且能通过结构参数的调整实现光波长、不同偏振态的区别探测。
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公开(公告)号：CN111416024A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010289222.5
申请日：2020-04-14
申请人： 南方科技大学
摘要： 本发明提供一种量子点LED显示器件的晶圆级封装方法，所述封装方法包括以下步骤：(1)将第一嵌段共聚物、第二嵌段共聚物以及量子点分散液混合得到混合液，将所述混合液注入模具中后去除溶剂，熔融压片退火后得到量子点封装膜；(2)将倒装LED芯片固定于晶圆基板上，在步骤(1)得到的所述量子点封装膜上涂覆粘合层，将所述倒装LED芯片倒置于所述模具中，得到封装前体；(3)对步骤(2)得到的所述封装前体进行压合处理，脱模后完成封装，最后划片、裂片得到单颗或多颗LED模块。所述封装方法工艺简单，以封装层取代传统荧光粉薄膜层，简化了封装结构，降低了封装成本，同时可以提高封装后的LED显示器件的亮度。
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公开(公告)号：CN110364635A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910630715.8
申请日：2019-07-12
申请人： 南方科技大学
摘要： 本发明实施例公开了一种量子点发光二极管以及制备方法，包括：基底；形成在基底上的阳极；形成在阳极上的空穴传输层；形成在空穴传输层上的多量子阱层，多量子阱层包括至少两层势垒层和比势垒层的层数少一层的发光层，势垒层和发光层间隔层叠设置，空穴传输层紧邻势垒层；形成在多量子阱层的电子传输层，紧邻多量子阱层中的势垒层；形成在电子传输层上的阴极。本发明实施例提供的技术方案，通过势垒层将载流子更好的限制在发光层中复合发光，从而提高了量子点发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN110364611A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910525800.8
申请日：2019-06-18
申请人： 深圳信息职业技术学院 , 南方科技大学
摘要： 本发明涉及封装技术领域，提供一种基于量子点的封装结构，包括灯源板及设置在灯源板上的多个芯片，还包括量子点及对量子点具有吸附力的光刻胶层，光刻胶层设于各芯片的出光侧，光刻胶层上设有多个通槽，各通槽与各芯片一一对应设置，芯片顶端与通槽底端连接并密封通槽底端，量子点涂设于芯片顶端并容置于通槽中。本发明还提供一种显示器，包括基于量子点的封装结构。通过在芯片上设置具有通槽的光刻胶层，芯片与通槽一一对应设置，且芯片顶端连接并密封通槽底端，使得通槽的侧壁的吸附力能够有效地平衡量子点自身的流体力，从而消除咖啡环效应，使得通槽内的量子点更加均匀地分布，从而实现均匀的颜色显示。
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公开(公告)号：CN110165067A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910584879.1
申请日：2019-07-01
申请人： 南方科技大学
摘要： 本发明提供了一种全透明倒置量子点发光器件、其制备方法及显示装置。所述全透明倒置量子点发光器件包括依次层叠设置的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、保护层和阳极；或者包括依次层叠设置的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、保护层、空穴传输层和阳极。所述保护层是通过直接蒸镀或原子层沉积保护层材料，或者先蒸镀保护层材料的前体，然后氧化的方法制备得到。所述显示装置包括阵列排布的至少两个上述全透明倒置量子点发光器件。本发明提供的全透明倒置量子点发光器件能够减轻制备过程中量子点发光层的损伤，与全透明正置量子点发光器件相比，可以使驱动电路的设计更加简单高效。
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