公开(公告)号：CN119545850A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411642011.X

申请日：2024-11-18

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 姚佳飞 ,  刘谨诚 ,  蒋正飞 ,  朱烨沁 ,  郭宇锋 ,  蔡志匡 ,  张茂林 ,  李曼 ,  杨可萌 ,  陈静 ,  张珺

IPC: H10D30/62 ,  H10D30/01 ,  H10D64/27

Abstract: 本发明公开了一种变宽度负电容层双栅鳍式场效应晶体管及其制备方法，包括半导体衬底、埋氧层、鳍式有源区、栅氧化层、变宽度负电容层、隔离氧化层、金属栅和侧墙；鳍式有源区包括沿长度方向依次布设的源区、沟道区和漏区；变宽度负电容层对称布设在栅氧化层外侧，且其两端宽度不等。本发明在栅氧化层两侧覆盖一层宽度沿沟道变化的负电容层，利用变宽度负电容层变化的电压放大效应和栅漏耦合效应，将栅极电压可变地放大后施加到栅氧化层两侧，以提高鳍式场效应晶体管地沟道控制能力，降低晶体管地亚阈值摆幅，提高晶体管饱和区电流并减弱负电容场效应晶体管中常见的负微分电阻现象，从而降低晶体管功耗，提升晶体管性能以及在逻辑电路中的表现。