一种具有P柱区和N柱区阶梯掺杂的SJ-VDMOS器件及制造方法

    公开(公告)号:CN108493247B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201810165544.1

    申请日:2018-02-28

    Abstract: 本发明涉及一种具有P柱区和N柱区阶梯掺杂的SJ‑VDMOS器件及制造方法,将阶梯掺杂(变掺杂)的思想引入新结构,将漂移区超结中的超结P型柱区(11)进行阶梯掺杂,掺杂浓度由源极到漏极逐渐降低;同时超结N型柱区(12)也进行阶梯掺杂,掺杂浓度由源极到漏极逐渐升高。新型结构阶梯掺杂可以平衡漂移区的电荷,提高器件击穿电压的同时保持了器件好的导通电阻特性。并且新结构可以降低器件内部电荷存储,提高器件开关速度,当器件应用于功率集成电路时,可以有效降低开关损耗。

    一种基于超纠缠贝尔态的三方量子安全直接通信方法

    公开(公告)号:CN107786280B

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201710924558.2

    申请日:2017-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于超纠缠贝尔态的三方量子安全直接通信方法,包括:用户1随机制备N个超纠缠贝尔态,并将其拆分成两条序列;用户1利对第一条序列路径编码发送至用户2;用户2确认无窃听后对其路径编码发送至用户3;用户3确认无窃听后通知用户1发送第二条序列;用户1对第二条序列极化编码发送给用户3;用户3对第二条序列进行极化编码,对两条序列做联合超纠缠贝尔态测量并公布测量结果;用户1分别获取用户2和3的编码信息;用户1公布初始态Ri以及用户2异或上用户3的编码信息R;用户2和3获取其他两方的编码信息。本发明仅传输三次,大大降低了由于信道损耗引起的光子丢失的概率,且具备安全性检测,充分提高了传输的安全性。

    一种具有P柱区和N柱区阶梯掺杂的SJ-VDMOS器件及制造方法

    公开(公告)号:CN108493247A

    公开(公告)日:2018-09-04

    申请号:CN201810165544.1

    申请日:2018-02-28

    Abstract: 本发明涉及一种具有P柱区和N柱区阶梯掺杂的SJ-VDMOS器件及制造方法,将阶梯掺杂(变掺杂)的思想引入新结构,将漂移区超结中的超结P型柱区(11)进行阶梯掺杂,掺杂浓度由源极到漏极逐渐降低;同时超结N型柱区(12)也进行阶梯掺杂,掺杂浓度由源极到漏极逐渐升高。新型结构阶梯掺杂可以平衡漂移区的电荷,提高器件击穿电压的同时保持了器件好的导通电阻特性。并且新结构可以降低器件内部电荷存储,提高器件开关速度,当器件应用于功率集成电路时,可以有效降低开关损耗。

    一种基于超纠缠贝尔态的三方量子安全直接通信方法

    公开(公告)号:CN107786280A

    公开(公告)日:2018-03-09

    申请号:CN201710924558.2

    申请日:2017-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种基于超纠缠贝尔态的三方量子安全直接通信方法,包括:用户1随机制备N个超纠缠贝尔态,并将其拆分成两条序列;用户1利对第一条序列路径编码发送至用户2;用户2确认无窃听后对其路径编码发送至用户3;用户3确认无窃听后通知用户1发送第二条序列;用户1对第二条序列极化编码发送给用户3;用户3对第二条序列进行极化编码,对两条序列做联合超纠缠贝尔态测量并公布测量结果;用户1分别获取用户2和3的编码信息;用户1公布初始态Ri以及用户2异或上用户3的编码信息R;用户2和3获取其他两方的编码信息。本发明仅传输三次,大大降低了由于信道损耗引起的光子丢失的概率,且具备安全性检测,充分提高了传输的安全性。

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