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公开(公告)号：CN108511467A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810182345.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种近红外宽光谱的CMOS单光子雪崩二极管探测器，包括同轴设置的呈圆柱形的P型衬底、P外延区、深N阱区、中心N阱区、N+区以及圆环形的第一P阱区、侧N阱区、第二P阱区和P+区。本发明提出的SPAD探测器在深N阱与P-外延层之间形成深的主雪崩区，可探测近红外短波光子；同时深N阱内部有两个浅的次雪崩环区，可探测短波光子，从而实现从蓝光到近红外短波的宽光谱光子探测。本发明可在标准CMOS工艺制作，具有集成度高、功耗低、抗干扰能力强等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108511467B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201810182345.1
申请日：2018-03-06
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种近红外宽光谱的CMOS单光子雪崩二极管探测器，包括同轴设置的呈圆柱形的P型衬底、P外延区、深N阱区、中心N阱区、N+区以及圆环形的第一P阱区、侧N阱区、第二P阱区和P+区。本发明提出的SPAD探测器在深N阱与P‑外延层之间形成深的主雪崩区，可探测近红外短波光子；同时深N阱内部有两个浅的次雪崩环区，可探测短波光子，从而实现从蓝光到近红外短波的宽光谱光子探测。本发明可在标准CMOS工艺制作，具有集成度高、功耗低、抗干扰能力强等优点。
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公开(公告)号：CN113872604A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111128198.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明公开了一种可降低分数杂散和高频量化噪声的Σ‑Δ调制器，属于集成电路设计领域。Σ‑Δ调制器一端连接除4除法器，另一端连接陷波滤波器，除4除法器用于接收外部数据信号，陷波滤波器输出调制后的数据信号，Σ‑Δ调制器包括19位CLA、第一24位CLA、第二24位CLA、1比特寄存器以及噪声消除电路，19位CLA分别与除4除法器和第一24位CLA连接，第一24位CLA与第二24位CLA连接；噪声消除电路的输入端通过1位寄存器分别与19位CLA、第一24位CLA、第二24位CLA连接，噪声消除电路与陷波滤波器连接。本发明通过两种MASH结构组合并加入陷波滤波器结构，得到更加平滑的量化噪声功率谱；同时降低高频处的量化噪声分量以及减小锁相环路中的非线性因素对相位噪声的影响。
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公开(公告)号：CN110736942B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201910966994.5
申请日：2019-10-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器，该磁场传感器包括垂直对称设置的第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器，第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器共用第三N+区。该磁场传感器包括硅衬底、绝缘体层、第一P‑区、第二P‑区、第三P‑区、第四P‑区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区、第五N+区、栅介质层和栅极。该对称结构的垂直型磁场传感器的生产工艺简单，结构完全对称，器件初始失调低，并且可以采用旋转电流技术消除器件的失调，残余失调低。该垂直型磁场传感器的磁场灵敏度高，并且可以组成二维磁场传感器，实现对平行于器件平面的二维磁场进行检测。
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公开(公告)号：CN110736942A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201910966994.5
申请日：2019-10-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明揭示了一种具有对称结构的高灵敏度垂直型磁场传感器，该磁场传感器包括垂直对称设置的第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器，第一垂直型磁场传感器和第二垂直型磁场传感器共用第三N+区。该磁场传感器包括硅衬底、绝缘体层、第一P-区、第二P-区、第三P-区、第四P-区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第四N+区、第五N+区、栅介质层和栅极。该对称结构的垂直型磁场传感器的生产工艺简单，结构完全对称，器件初始失调低，并且可以采用旋转电流技术消除器件的失调，残余失调低。该垂直型磁场传感器的磁场灵敏度高，并且可以组成二维磁场传感器，实现对平行于器件平面的二维磁场进行检测。
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公开(公告)号：CN113872604B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111128198.8
申请日：2021-09-26
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03M3/00
Abstract: 本发明公开了一种可降低分数杂散和高频量化噪声的Σ‑Δ调制器，属于集成电路设计领域。Σ‑Δ调制器一端连接除4除法器，另一端连接陷波滤波器，除4除法器用于接收外部数据信号，陷波滤波器输出调制后的数据信号，Σ‑Δ调制器包括19位CLA、第一24位CLA、第二24位CLA、1比特寄存器以及噪声消除电路，19位CLA分别与除4除法器和第一24位CLA连接，第一24位CLA与第二24位CLA连接；噪声消除电路的输入端通过1位寄存器分别与19位CLA、第一24位CLA、第二24位CLA连接，噪声消除电路与陷波滤波器连接。本发明通过两种MASH结构组合并加入陷波滤波器结构，得到更加平滑的量化噪声功率谱；同时降低高频处的量化噪声分量以及减小锁相环路中的非线性因素对相位噪声的影响。
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