公开(公告)号：CN114613907B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202210268314.4

申请日：2022-03-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 罗希良 ,  凌海峰 ,  明建宇 ,  高锦程 ,  葛益璋 ,  解令海 ,  黄维

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法，通过引入PEDOT:PSS/AlOx的有机‑无机杂化界面或PEDOT:PSS/Pentacene有机‑有机界面，构建一种由富含离子的半导体层和离子收集导电层组成的聚合物忆阻器结构，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其拥有生物突触响应。本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层、无机阻变层非化学计量比AlOx或有机阻变层并五苯Pentacene、顶电极金属Al，形成结构为ITO/PEDOT:PSS/AlOx/Al或结构为ITO/PEDOT:PSS/Pentacene/Al的忆阻器器件。本发明用于实现多级开关特性并改进了开关功耗（1.2μw），可应用于突触塑性功能模拟，为低功耗应用场景和神经形态计算提供了可能。

公开(公告)号：CN114613907A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210268314.4

申请日：2022-03-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 罗希良 ,  凌海峰 ,  明建宇 ,  高锦程 ,  葛益璋 ,  解令海 ,  黄维

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法，通过引入PEDOT:PSS/AlOx的有机‑无机杂化界面或PEDOT:PSS/Pentacene有机‑有机界面，构建一种由富含离子的半导体层和离子收集导电层组成的聚合物忆阻器结构，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其拥有生物突触响应。本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层、无机阻变层非化学计量比AlOx或有机阻变层并五苯Pentacene、顶电极金属Al，形成结构为ITO/PEDOT:PSS/AlOx/Al或结构为ITO/PEDOT:PSS/Pentacene/Al的忆阻器器件。本发明用于实现多级开关特性并改进了开关功耗（1.2μw），可应用于突触塑性功能模拟，为低功耗应用场景和神经形态计算提供了可能。