公开(公告)号：CN114628579A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210210197.6

申请日：2022-03-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 任子涵 ,  凌海峰 ,  尹超 ,  明建宇 ,  罗希良 ,  解令海 ,  黄维

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开一种基于水溶性聚合物的质子型忆阻器及其制备，该忆阻器为“三明治”结构，顺次由顶电极、无机阻变功能层、有机阻变功能层和底电极组成，顶电极为金属活性电极，底电极为氧化铟锡(ITO)，无机阻变功能层为金属氧化物薄膜，有机阻变功能层为水溶性聚合物与掺杂材料组成的掺杂体系；该质子型忆阻器的制备过程可靠稳定，所得忆阻器具有生物相容性高、绿色环保的特点；在改善器件性能一致性、环境依赖性的同时，在仿生突触塑性模拟方面也有很大提高，其可利用较低电压实现对器件的操控，拥有较低功耗，且具有良好的双向电流调制效应，为进一步丰富突触功能及设计柔性可穿戴设备提供了可能。

公开(公告)号：CN114613907B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202210268314.4

申请日：2022-03-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 罗希良 ,  凌海峰 ,  明建宇 ,  高锦程 ,  葛益璋 ,  解令海 ,  黄维

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法，通过引入PEDOT:PSS/AlOx的有机‑无机杂化界面或PEDOT:PSS/Pentacene有机‑有机界面，构建一种由富含离子的半导体层和离子收集导电层组成的聚合物忆阻器结构，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其拥有生物突触响应。本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层、无机阻变层非化学计量比AlOx或有机阻变层并五苯Pentacene、顶电极金属Al，形成结构为ITO/PEDOT:PSS/AlOx/Al或结构为ITO/PEDOT:PSS/Pentacene/Al的忆阻器器件。本发明用于实现多级开关特性并改进了开关功耗（1.2μw），可应用于突触塑性功能模拟，为低功耗应用场景和神经形态计算提供了可能。

公开(公告)号：CN114613907A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210268314.4

申请日：2022-03-18

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 罗希良 ,  凌海峰 ,  明建宇 ,  高锦程 ,  葛益璋 ,  解令海 ,  黄维

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种导电聚合物基仿生忆阻器及其制备方法，通过引入PEDOT:PSS/AlOx的有机‑无机杂化界面或PEDOT:PSS/Pentacene有机‑有机界面，构建一种由富含离子的半导体层和离子收集导电层组成的聚合物忆阻器结构，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其拥有生物突触响应。本发明的忆阻器结构从下往上依次为底电极氧化铟锡ITO、经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层、无机阻变层非化学计量比AlOx或有机阻变层并五苯Pentacene、顶电极金属Al，形成结构为ITO/PEDOT:PSS/AlOx/Al或结构为ITO/PEDOT:PSS/Pentacene/Al的忆阻器器件。本发明用于实现多级开关特性并改进了开关功耗（1.2μw），可应用于突触塑性功能模拟，为低功耗应用场景和神经形态计算提供了可能。