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公开(公告)号：CN114236686B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202111570671.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种多层多维光子集成芯片出/入光结构，包括置于底部的硅衬底，所述硅衬底的上方具有n层依次叠加的光子集成芯片，并通过前n‑1个堆叠的光子集成芯片用以实现n‑1维水平互联，水平互联的维度数量与光子集成芯片的侧面数量相等；各层光子集成芯片的结构均相同，从下至上依次为下包层、芯层及上包层，所述芯层集成有由输入波导及输出波导构成的出入光光波导结构，且除最顶层外的其余各层光子集成芯片的出入光光波导结构分别朝向各不相同的方向，最顶层光子集成芯片通过顶部设置的表面光栅与其出入光光波导结构连接，通过表面光栅与光纤连接后实现光的输入输出。本发明能够在多个维度实现光纤与光子集成芯片的连接，性能优异。
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公开(公告)号：CN114608632B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210398184.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种多层多波长多模式多参量微环传感器及制备方法，属于集成光子器件技术领域。本发明包括硅衬底层、下包层、第一波导层、隔离层、第二波导层和上包层，双层波导结构实现在三维空间搭建传感器。本发明第一波导层采用局部级联亚波长光栅结构，实现不同波段多波长和多模式的水平耦合，第一波导层与第二波导层之间采用槽波导结构实现模式垂直耦合，第二波导层利用多个不同半径和宽度的微环实现向不同高阶模式的转换，实现多参量同步传感。本发明可基于成熟的CMOS工艺制备，结构简单、易于实现，相比传统平面器件，提高了传感效率，集成度更高，功能更加强大，为实现光子系统中高性能光传感芯片奠定了基础。
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公开(公告)号：CN114608632A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210398184.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种多层多波长多模式多参量微环传感器及制备方法，属于集成光子器件技术领域。本发明包括硅衬底层、下包层、第一波导层、隔离层、第二波导层和上包层，双层波导结构实现在三维空间搭建传感器。本发明第一波导层采用局部级联亚波长光栅结构，实现不同波段多波长和多模式的水平耦合，第一波导层与第二波导层之间采用槽波导结构实现模式垂直耦合，第二波导层利用多个不同半径和宽度的微环实现向不同高阶模式的转换，实现多参量同步传感。本发明可基于成熟的CMOS工艺制备，结构简单、易于实现，相比传统平面器件，提高了传感效率，集成度更高，功能更加强大，为实现光子系统中高性能光传感芯片奠定了基础。
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公开(公告)号：CN114236686A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111570671.8
申请日：2021-12-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种多层多维光子集成芯片出/入光结构，包括置于底部的硅衬底，所述硅衬底的上方具有n层依次叠加的光子集成芯片，并通过前n‑1个堆叠的光子集成芯片用以实现n‑1维水平互联，水平互联的维度数量与光子集成芯片的侧面数量相等；各层光子集成芯片的结构均相同，从下至上依次为下包层、芯层及上包层，所述芯层集成有由输入波导及输出波导构成的出入光光波导结构，且除最顶层外的其余各层光子集成芯片的出入光光波导结构分别朝向各不相同的方向，最顶层光子集成芯片通过顶部设置的表面光栅与其出入光光波导结构连接，通过表面光栅与光纤连接后实现光的输入输出。本发明能够在多个维度实现光纤与光子集成芯片的连接，性能优异。
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