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公开(公告)号：CN114608632B
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202210398184.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种多层多波长多模式多参量微环传感器及制备方法，属于集成光子器件技术领域。本发明包括硅衬底层、下包层、第一波导层、隔离层、第二波导层和上包层，双层波导结构实现在三维空间搭建传感器。本发明第一波导层采用局部级联亚波长光栅结构，实现不同波段多波长和多模式的水平耦合，第一波导层与第二波导层之间采用槽波导结构实现模式垂直耦合，第二波导层利用多个不同半径和宽度的微环实现向不同高阶模式的转换，实现多参量同步传感。本发明可基于成熟的CMOS工艺制备，结构简单、易于实现，相比传统平面器件，提高了传感效率，集成度更高，功能更加强大，为实现光子系统中高性能光传感芯片奠定了基础。
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公开(公告)号：CN114608632A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210398184.6
申请日：2022-04-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及一种多层多波长多模式多参量微环传感器及制备方法，属于集成光子器件技术领域。本发明包括硅衬底层、下包层、第一波导层、隔离层、第二波导层和上包层，双层波导结构实现在三维空间搭建传感器。本发明第一波导层采用局部级联亚波长光栅结构，实现不同波段多波长和多模式的水平耦合，第一波导层与第二波导层之间采用槽波导结构实现模式垂直耦合，第二波导层利用多个不同半径和宽度的微环实现向不同高阶模式的转换，实现多参量同步传感。本发明可基于成熟的CMOS工艺制备，结构简单、易于实现，相比传统平面器件，提高了传感效率，集成度更高，功能更加强大，为实现光子系统中高性能光传感芯片奠定了基础。
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