公开(公告)号：CN120076707A

公开(公告)日：2025-05-30

申请号：CN202510239000.5

申请日：2025-02-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 李永涛 ,  李鉴达 ,  郭嫒倩 ,  李林凯 ,  侯潇宇 ,  刘俊鑫

IPC: H10N70/00 ,  H10N70/20 ,  H10K10/50 ,  H10K71/12 ,  H10K71/60 ,  H10K71/00 ,  H10K85/10

Abstract: 本发明提供一种基于P3HT/TiO2异质结的多功能忆阻器及其制备方法，该忆阻器包括由下而上依次设置的基底和顶电极，还包括二氧化钛薄膜和P3HT薄膜即聚(3‑己基噻吩)薄膜，二氧化钛薄膜和P3HT薄膜设于基底和顶电极间，且二氧化钛薄膜设于基底表面；该种基于P3HT/TiO2异质结的多功能忆阻器及其制备方法，具有优异的记忆存储效果、增强的快速响应能力以及增强的环境适应性等优点，且功耗低，能够显著降低了生产成本并提升生产效率。