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公开(公告)号：CN119835964A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411983946.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种衬底电压调控GaN HEMT功率器件，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的P衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层和浮空场板结构；沿器件横向方向，在AlGaN势垒层表面依次为相互不接触的源电极、栅极结构和漏电极；所述浮空场板结构包括若干个互不接触的浮空场板，所述P衬底与浮空场板结构中任意一个场板通过金属相连接，使其电位相同，浮空场板电压可调控衬底电压，实现高耐压和抑制动态电阻退化。本发明的有益效果为，在不增加导通电阻的情况下，具有高的耐压且抑制动态电阻崩塌，不增加额外工艺步骤，且不会额外增加芯片面积，节约了成本。
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公开(公告)号：CN118198115B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410622788.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种高压低功耗SOI LIGBT，其在漂移区内引入自阴极至阳极逐渐减小的介质槽，靠近主栅极结构的介质槽内有多晶硅槽为辅助槽栅，该槽栅与主栅短接。在阻断时，变宽度介质槽使得漂移区内杂质分布呈由阴极至阳极增加，获得均匀表面电场，大大提高器件耐压；在正向导通时，介质槽在漂移区近阴极端形成窄台面，实现注入增强和低导通压降；在关断过程中，相同耐压级别下，漂移区内过剩载流子小，实现快关断和低关断损耗。本发明可实现高耐压，在不增加导通压降的情况下，具有更低的关断损耗。
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公开(公告)号：CN118198115A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410622788.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种高压低功耗SOI LIGBT，其在漂移区内引入自阴极至阳极逐渐减小的介质槽，靠近主栅极结构的介质槽内有多晶硅槽为辅助槽栅，该槽栅与主栅短接。在阻断时，变宽度介质槽使得漂移区内杂质分布呈由阴极至阳极增加，获得均匀表面电场，大大提高器件耐压；在正向导通时，介质槽在漂移区近阴极端形成窄台面，实现注入增强和低导通压降；在关断过程中，相同耐压级别下，漂移区内过剩载流子小，实现快关断和低关断损耗。本发明可实现高耐压，在不增加导通压降的情况下，具有更低的关断损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118486716A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410662651.0
申请日：2024-05-27
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有自适应电荷调控的GaN HEMT功率器件。本发明引入延伸至漂移区上方的P型GaN栅结构，与栅极相接触的P型GaN层对漂移区电荷分布进行自适应调控，实现高压低阻及增强型。在阻断状态时，低电位的P型GaN层耗尽二维电子气(2DEG)，使得漂移区2DEG呈由栅极至漏极线性增加，器件获得均匀表面电场和高耐压；正向导通时，高电位P型GaN层恢复下方的2DEG，导通电阻不增加；动态开关时，均匀的表面电场缓解了栅极电子注入效应，抑制了缓冲层陷阱对2DEG沟道电子的俘获，缓解电流崩塌效应。本发明的有益效果为，相比于常规GaN HEMT器件，在不折损导通电阻的情况下，具有更高的耐压且抑制动态电阻崩塌效应，且本发明不增加额外工艺步骤。
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公开(公告)号：CN118198116B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410622791.5
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种多介质槽注入增强低功耗功率器件，在漂移区内引入多个介质槽组构成辅助槽栅，辅助槽栅与主栅短接。正向导通时，多个介质槽组在周围聚集的电子以及其形成的窄台面共同作用下，电导调制效应被增强，实现低正向导通压降；在器件关断过程中，随着栅压的下降，多个介质槽组周围聚集的电子提前消失，电导调制减弱，漂移区内过剩载流子减小，实现器件快关断和低关断损耗；在阻断状态下，介质槽组在漂移区内引入电场峰值，优化器件表面电场，增加器件耐压。本发明不增加工艺复杂度，实现低导通压降、低关断损耗和高耐压。
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公开(公告)号：CN118198116A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410622791.5
申请日：2024-05-20
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，公开了一种多介质槽注入增强低功耗功率器件，在漂移区内引入多个介质槽组构成辅助槽栅，辅助槽栅与主栅短接。正向导通时，多个介质槽组在周围聚集的电子以及其形成的窄台面共同作用下，电导调制效应被增强，实现低正向导通压降；在器件关断过程中，随着栅压的下降，多个介质槽组周围聚集的电子提前消失，电导调制减弱，漂移区内过剩载流子减小，实现器件快关断和低关断损耗；在阻断状态下，介质槽组在漂移区内引入电场峰值，优化器件表面电场，增加器件耐压。本发明不增加工艺复杂度，实现低导通压降、低关断损耗和高耐压。
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公开(公告)号：CN109560794A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811328460.1
申请日：2018-11-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种矢量调制射频信号发生器，包括射频本振模块、矢量调制模块、射频变换模块、宽带稳幅模块及输出模块。所述矢量调制模块用于产生射频正交本振信号和基带放大信号，包括射频I/Q调制模块以及分别与所述射频I/Q调制模块连接的锁相环模块和基带信号发生模块；本发明的矢量调制射频信号发生器具有射频宽度广、调制功能强大的特点，同时成本低廉、使用方便、简单、适于实用。
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公开(公告)号：CN109560794B
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN201811328460.1
申请日：2018-11-09
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种矢量调制射频信号发生器，包括射频本振模块、矢量调制模块、射频变换模块、宽带稳幅模块及输出模块。所述矢量调制模块用于产生射频正交本振信号和基带放大信号，包括射频I/Q调制模块以及分别与所述射频I/Q调制模块连接的锁相环模块和基带信号发生模块；本发明的矢量调制射频信号发生器具有射频宽度广、调制功能强大的特点，同时成本低廉、使用方便、简单、适于实用。
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