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公开(公告)号：CN110082858A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910337314.3
申请日：2019-04-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种光子陀螺芯片及其制备方法，属于集成芯片领域。包括激光器、Y分支波导、谐振腔、直波导一、探测器一和探测器二；所述Y分支波导的一端连接激光器，另一端连接谐振腔；所述谐振腔上连接有直波导一；所述直波导一的一端连接探测器一、另一端连接探测器二。本发明提高了光学陀螺的集成度和灵敏度。
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公开(公告)号：CN109888611A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910206657.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电驱动纳米梁结构的氮化物微激光器及其制备方法，激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层内部镂空，仅保留侧壁和底面，形成一个位于u型氮化镓层下方的空腔。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺制备纳米梁结构的氮化物微腔，在正向偏压下，获得紫外光波段的激光。
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公开(公告)号：CN109888611B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN201910206657.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种电驱动纳米梁结构的氮化物微激光器及其制备方法，激光器以硅基氮化物晶片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子肼层、p型氮化镓层、设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极，硅衬底层内部镂空，仅保留侧壁和底面，形成一个位于u型氮化镓层下方的空腔。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺制备纳米梁结构的氮化物微腔，在正向偏压下，获得紫外光波段的激光。
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公开(公告)号：CN110082858B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201910337314.3
申请日：2019-04-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种光子陀螺芯片及其制备方法，属于集成芯片领域。包括激光器、Y分支波导、谐振腔、直波导一、探测器一和探测器二；所述Y分支波导的一端连接激光器，另一端连接谐振腔；所述谐振腔上连接有直波导一；所述直波导一的一端连接探测器一、另一端连接探测器二。本发明提高了光学陀螺的集成度和灵敏度。
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