公开(公告)号：CN119008705A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411487533.7

申请日：2024-10-24

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄晓明 ,  孙飞 ,  陈鑫磊

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明公开了一种非晶InGaZnO/InAlSnO异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件及其制备方法。所述薄膜晶体管器件包括：衬底层、底栅电极层、顶栅电极层、底栅绝缘层、顶栅绝缘层、InAlSnO有源层、InGaZnO有源层、源电极层、漏电极层和钝化层。本发明通过形成较大的InAlSnO/InGaZnO异质结能带带阶的复合沟道结构，有效地抑制载流子捕获效应，增强TFT器件的电学可靠性。

公开(公告)号：CN119008705B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411487533.7

申请日：2024-10-24

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 黄晓明 ,  孙飞 ,  陈鑫磊

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D62/17 ,  H10D62/80

Abstract: 本发明公开了一种非晶InGaZnO/InAlSnO异质结复合沟道双栅薄膜晶体管器件及其制备方法。所述薄膜晶体管器件包括：衬底层、底栅电极层、顶栅电极层、底栅绝缘层、顶栅绝缘层、InAlSnO有源层、InGaZnO有源层、源电极层、漏电极层和钝化层。本发明通过形成较大的InAlSnO/InGaZnO异质结能带带阶的复合沟道结构，有效地抑制载流子捕获效应，增强TFT器件的电学可靠性。