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公开(公告)号:CN113078224A
公开(公告)日:2021-07-06
申请号:CN202110333502.6
申请日:2021-03-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/0749 , H01L31/18 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种透明导电玻璃铜铟硒薄膜太阳能电池器件及其制备方法与应用,具体是铜铟硒(CuInSe2和CuIn(S,Se)2,CIS)薄膜太阳能电池在FTO(掺杂F的SnO2)导电玻璃基底上的制备方法与应用,使用简单金属化合物或简单金属配合物作为前驱体化合物配制前驱体溶液,旋涂在FTO导电玻璃基底上,可以制备结晶性好、晶粒均匀致密排布的吸光层,获得光电转换效率为9%的CIS太阳能电池。与传统Mo玻璃衬底相比,FTO导电玻璃的使用,降低了背接触电阻,可以使器件背面照光,促进吸光层背面生载流子有效分离,迅速传至导电玻璃表面通过外电路形成光电流,使电池效率增加。该方法制备工艺简单,生产成本低,具有极大的工业应用潜力。
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公开(公告)号:CN114904744B
公开(公告)日:2023-07-04
申请号:CN202210391756.8
申请日:2022-04-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: B05D7/24 , B05D1/28 , B05D3/02 , B05D3/10 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种制备铜铟硒薄膜的刮涂方法及其应用。制备铜铟硒薄膜的刮涂方法包括以下步骤:将含有Cu、In、S元素的前驱体溶液刮涂到钼玻璃上,形成一层前驱体湿膜,将前驱体湿膜在低温下退火以除去薄膜中多余的溶剂来干燥薄膜,再将薄膜经过高温的热退火处理,得到表面平整、均一性良好的CuInS2前躯体薄膜,最后,将CuInS2前躯体薄膜高温硒化形成铜铟硒薄膜。本发明简化了铜铟硒薄膜的制备过程,避免了制造过程的溶液损失,极大的提高了材料的利用率,减少了制备成本,为实现溶液法制备大面积铜铟硒薄膜太阳能电池器件的工业化应用提供了技术支撑。
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公开(公告)号:CN115557868A
公开(公告)日:2023-01-03
申请号:CN202211166567.7
申请日:2022-09-23
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07C335/02 , C07C335/08 , C07F1/08 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种基于硫脲和醋酸铜的金属硫脲配合物及其衍生物与应用。所述金属硫脲配合物的通式为[Cu(Tu)3]n·R,其中,R为SO42‑或CH3COO‑,具体结构如下所示:本发明合成方法绿色简单,制备的金属硫脲配合物稳定,利用金属硫脲配合物及其衍生物制作的器件成膜均匀、效率高。
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公开(公告)号:CN119522002A
公开(公告)日:2025-02-25
申请号:CN202411605269.2
申请日:2024-11-12
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种用于无机化合物薄膜太阳能电池的前驱体溶液、制备方法及其应用,属于薄膜太阳能电池领域,用于无机化合物薄膜太阳能电池的前驱体溶液,包括以下原料:金属前驱体化合物、含硫配体以及溶剂;所述金属前驱体化合物中的金属包括铟、镓和铜或锌、锡和铜;所述金属前驱体化合物还包括硫酸根、醋酸根以及硝酸根中的一种或多种;本发明的前驱体溶液避免了薄膜成膜过程复杂的化学反应,形成大晶粒、无杂质、表面平整的吸收层薄膜,提高无机化合物薄膜太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号:CN114904744A
公开(公告)日:2022-08-16
申请号:CN202210391756.8
申请日:2022-04-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: B05D7/24 , B05D1/28 , B05D3/02 , B05D3/10 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种制备铜铟硒薄膜的刮涂方法及其应用。制备铜铟硒薄膜的刮涂方法包括以下步骤:将含有Cu、In、S元素的前驱体溶液刮涂到钼玻璃上,形成一层前驱体湿膜,将前驱体湿膜在低温下退火以除去薄膜中多余的溶剂来干燥薄膜,再将薄膜经过高温的热退火处理,得到表面平整、均一性良好的CuInS2前躯体薄膜,最后,将CuInS2前躯体薄膜高温硒化形成铜铟硒薄膜。本发明简化了铜铟硒薄膜的制备过程,避免了制造过程的溶液损失,极大的提高了材料的利用率,减少了制备成本,为实现溶液法制备大面积铜铟硒薄膜太阳能电池器件的工业化应用提供了技术支撑。
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