公开(公告)号：CN113078224A

公开(公告)日：2021-07-06

申请号：CN202110333502.6

申请日：2021-03-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 辛颢 ,  刘新格 ,  江晶晶 ,  李秉研

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种透明导电玻璃铜铟硒薄膜太阳能电池器件及其制备方法与应用，具体是铜铟硒(CuInSe2和CuIn(S,Se)2，CIS)薄膜太阳能电池在FTO(掺杂F的SnO2)导电玻璃基底上的制备方法与应用，使用简单金属化合物或简单金属配合物作为前驱体化合物配制前驱体溶液，旋涂在FTO导电玻璃基底上，可以制备结晶性好、晶粒均匀致密排布的吸光层，获得光电转换效率为9％的CIS太阳能电池。与传统Mo玻璃衬底相比，FTO导电玻璃的使用，降低了背接触电阻，可以使器件背面照光，促进吸光层背面生载流子有效分离，迅速传至导电玻璃表面通过外电路形成光电流，使电池效率增加。该方法制备工艺简单，生产成本低，具有极大的工业应用潜力。