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公开(公告)号：CN112397598B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202011281856.2
申请日：2020-11-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/072 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种前驱体溶液及其制备银铜锌锡硫薄膜太阳能电池的方法，合成了银、铜和锌的硫脲配合物或硫脲衍生物配合物，合成了锡与二甲基亚砜或N,N‑二甲基甲酰胺的配合物；以金属配合物为原料，溶解于溶剂二甲基亚砜(DMSO)或N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)中，配制出银铜锌锡硫前驱体溶液。该前驱体溶液制备的银铜锌锡硫太阳能电池的吸收层材料具有结晶优良的大晶粒、薄膜形貌好、无二次相的特点。金属配合物的使用避免了溶液中氧化还原反应与元素丢失的发生，简化了前驱体溶液的制备过程，有利于工业化生产。通过银配合物进行银掺杂，精准控制了银的含量，且制备的银铜锌锡硫薄膜太阳能电池具有高的开路电压、填充因子和光电转换效率。
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公开(公告)号：CN110028654A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910341859.1
申请日：2019-04-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于萘酰亚胺-硒吩衍生物的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用，该有机n型半导体聚合物材料基于长链萘酰亚胺或其衍生物为吸电子单元，烷氧基取代硒吩或硒吩衍生物为给电子单元，其中，烷氧基取代硒吩或硒吩衍生物的3-位或4-位，或者取代硒吩或硒吩衍生物的3-位和4-位。本发明公开的基于萘酰亚胺与硒吩衍生物的n-型共轭聚合物半导体具有可溶液加工、电子迁移率高、能级适当、优异的成膜性等优点，是理想的非富勒烯受体材料。
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公开(公告)号：CN109817735A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910042288.1
申请日：2019-01-17
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0392 , H01L31/18 , C03C17/36
Abstract: 本发明公开了一种溶液法制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池，以水和醇类溶剂为配制前驱体溶液的溶剂，合成铜、铟和镓的硫脲配合物或硫脲衍生物配合物，以这些合成的配合物为原料或者合成的铜配合物和金属氯化物的组合为原料，将其溶解在水或醇类溶剂中配制前驱体溶液，用该前驱体溶液来制备CIS及CIGS薄膜太阳能电池的吸光层。该方法所用溶剂绿色环保、廉价且易于获得，能大幅降低生产成本；可以防止金属离子水解和在退火过程中金属氧化物的形成，同时可防止CIS和CIGS中二价铜缺陷的形成；铜铟硫和铜铟镓硫前驱体薄膜在外界大气环境下制备，不需要惰性气氛保护。
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公开(公告)号：CN116284042A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310242785.2
申请日：2023-03-14
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本申请公开了基于苝酰亚胺n型半导体材料及其制备方法与应用，具体为在苝酰亚胺环湾部位引入噻吩基团的n型半导体材料及其制备方法，以及其作为钙钛矿与电子传输层之间界面的修饰层材料在钙钛矿太阳能电池中的应用，有效提高了电池的光电转换效率与空气中稳定性。本申请公开的一种苝酰亚胺n型半导体材料具有可溶液加工、电子迁移率高、热稳定性优异、能级适当、疏水性强、含有硫元素等优点，是理想的钙钛矿表面缺陷钝化材料和防止环境中的水分子对钙钛矿侵蚀的保护材料。
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公开(公告)号：CN114835731A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210418148.1
申请日：2022-04-20
Applicant: 南京邮电大学
IPC: C07D519/00 , H01L51/42 , H01L51/46 , H01L51/48
Abstract: 本申请公开了一种基于二甲胺基取代萘酰亚胺‑联噻吩的有机n型半导体材料及其制备方法与应用，具体为基于二甲胺基取代萘酰亚胺为拉电子单元，联二噻吩为给电子单元的n‑型有机共轭半导体材料及其制备方法，以及其作为阴极界面修饰层材料在钙钛矿太阳能电池中的应用。本申请公开的一种基于二甲胺基取代萘酰亚胺‑联噻吩的有机n型半导体材料具有可溶液加工、电子迁移率高、热稳定性优异、能级适当等优点，是理想的钙钛矿太阳能电池电子传输层材料。
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公开(公告)号：CN114975653B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210578268.8
申请日：2022-05-25
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本申请提供了一种Zn(O,S)薄膜的制备方法及其应用，制备方法包括以下步骤：将基底浸入含有硫源、锌源和络合剂的混合溶液中进行化学浴沉积，制备Zn(O,S)前驱体膜，将该前驱体膜进行两步退火，即先缓慢升温退火，然后经过恒定高温退火，得到均匀、致密、平整的Zn(O,S)薄膜；最后将Zn(O,S)薄膜作为缓冲层应用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池。本申请优化了Zn(O,S)薄膜的制备方法，抑制了一步热退火对Zn(O,S)薄膜的损伤，提高了Zn(O,S)薄膜的均匀性、致密性、平整度，为实现溶液法、大面积、廉价制备无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池器件的工业化应用提供了技术支撑。
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公开(公告)号：CN108864415B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810611490.7
申请日：2018-06-14
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于萘酰亚胺‑硒吩的有机n型半导体聚合物材料及其制备方法与应用，基于长链萘酰亚胺为拉电子单元，硒吩及其衍生物联二硒吩、联三硒吩为给电子单元的n‑型有机共轭聚合物半导体材料及其制备方法，以及该类聚合物作为阴极界面修饰层材料在钙钛矿太阳能电池中的应用。本发明公开的基于萘酰亚胺与硒吩衍生物的n‑型共轭聚合物半导体具有可溶液加工、电子迁移率高、热稳定性优异、能级适当等优点，是理想的钙钛矿太阳能电池阴极界面修饰材料。
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公开(公告)号：CN110518129A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910796855.2
申请日：2019-08-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种用于叠层电池透明电极的高透过率缓冲层结构的制备方法，在透明电池的有机界面层上直接沉积Ag2MoO4作为缓冲层，沉积Ag2MoO4的方法包括：旋涂Ag2MoO4分散液、蒸镀Ag2MoO4粉末、原位化学反应生成；该缓冲层材料来源广，种类多，沉积方法多且简便，透过率高，并且能够有效地起到保护透明有机界面层的作用，是理想的透明电池的缓冲层材料。
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公开(公告)号：CN106340545B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610824499.7
申请日：2016-09-14
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/032
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，提供CIS及CIGS薄膜太阳能电池吸光层的制备方法。所述方法经过：步骤一：制备前驱体溶液；将铜的无机盐和硫脲以一定的比例溶解在酰胺及其衍生物中的一种溶剂中，生成溶液1，将铟的无机盐和/或镓的无机盐以及硫脲按一定比例溶解到相同的溶剂中，此为溶液2，将溶液1和2混合在一起，搅拌生成澄清透明的前驱体溶液；或者直接将铜、铟和/或镓的无机盐与硫脲按一定比例直接一起溶解到2‑吡咯烷酮及其衍生物中的一种溶剂中，搅拌使其完全溶解生成前驱体溶液；步骤二：旋涂与热处理；步骤三：硒化反应。本发明制备前驱体溶液的溶剂，来源广，稳定，毒性小，能够完全溶解原料，并不产生沉淀，有利于可进行大规模生产。
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