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公开(公告)号：CN114337201A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111521031.8
申请日：2021-12-13
摘要： 本发明是关于一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路，连接于SiC MOSFET驱动电路中，驱动电路包括上下桥臂，下桥臂的第一正向、第一负向供电电源之间连接电压图腾柱结构电路，电压图腾柱结构电路的输出端连接驱动电阻电路和负压关断电压上拉电路的输入端，驱动电阻电路的输出端连接电流抽取电路和电流注入电路的输入端，负压关断电压上拉电路的输出端连接下桥臂SiC MOSFET的栅极相连；上桥臂除无负压关断电压上拉电路外，与下桥臂对称设置。本发明能够充分发挥SiC MOSFET高开关速度，低损耗的性能优势，且在实现抑制开通电流、关断电压尖峰的同时抑制了桥臂串扰负压关断带来的附加损耗。
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公开(公告)号：CN114531023A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210049225.0
申请日：2022-01-17
摘要： 本发明公开了一种基于电流平均值和瞬时值同步检测的谐振电流抑制方法，采用同步检测电路对MOSFET直接控制；所述同步检测电路包括电流过零点检测模块ZCD、电流平均值检测模块ACD、信号检测模块、PWM模块和驱动器模块；采用电流过零点检测模块ZCD检测电感电流瞬时值，同时采用电流平均值检测模块ACD检测电感电流平均值；当信号检测模块同时接收到电感电流过零信号和电感电流平均值允许信号时，向PWM模块发送允许开通信号；所述PWM模块控制驱动器模块发出驱动信号，开通MOSFET，通过控制MOSFET的断续谐振时间，降低谐振电流对输入电流的影响；本发明采用无需考虑电路的参数问题，电路的器件选型更灵活，从根本上解决由于谐振而引起的输入电流畸变问题，提高功率因数。
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公开(公告)号：CN114070282B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202210032997.3
申请日：2022-01-12
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/042 , H03K17/687
摘要： 本发明是关于一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路，包括SiC MOSFET，其特征在于，还包括正、负向供电电源之间的图腾柱结构电路、开通驱动电路、关断驱动电路和电压反馈信号调理电路，所述图腾柱结构电路的输出端分别连接开通、关断驱动电路的输入端，开通、关断驱动电路的输出端以及电压反馈信号调理电路的输入端与SiC MOSFET的栅极连接。本发明能够在充分保持SiC MOSFET高开关速度以及低损耗优势的情况下，对开关过程出现的电流电压超调进行有效的抑制。
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公开(公告)号：CN114625044B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202210219251.3
申请日：2022-03-08
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 和可靠性。本发明提供一种调节功率管并联均流的变电压驱动控制电路，该电路包括第一驱动电路、第二驱动电路和控制电路，该电路包括由第一运算放大器、采样电阻、第一电阻、第二电阻、第三电阻、控制芯片组成的控制电路，第一驱动电源、第二驱动电源、第一开关和第二开关组成的第一驱动电路，第三驱动电源、第四驱动电源、第三开关和第四开关组成的第二驱动电路，主功率回路包括第一功率管、第二功率管、第一源极电感和第二源极电感。本发明适用于需要功率管进行并联使用的大功率场合，通过对两个功率管源极的
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公开(公告)号：CN114625044A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210219251.3
申请日：2022-03-08
IPC分类号： G05B19/042
摘要： 本发明提供一种调节功率管并联均流的变电压驱动控制电路，该电路包括第一驱动电路、第二驱动电路和控制电路，该电路包括由第一运算放大器、采样电阻、第一电阻、第二电阻、第三电阻、控制芯片组成的控制电路，第一驱动电源、第二驱动电源、第一开关和第二开关组成的第一驱动电路，第三驱动电源、第四驱动电源、第三开关和第四开关组成的第二驱动电路，主功率回路包括第一功率管、第二功率管、第一源极电感和第二源极电感。本发明适用于需要功率管进行并联使用的大功率场合，通过对两个功率管源极的两端串联的电阻上的电压进行采样来调整两个功率管的驱动电压，避免了电流不均衡时的某个功率管过热的情况，提高了主功率电路的安全性和可靠性。
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公开(公告)号：CN114070282A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202210032997.3
申请日：2022-01-12
IPC分类号： H03K17/082 , H03K17/042 , H03K17/687
摘要： 本发明是关于一种抑制SiC MOSFET超调的变电阻驱动电路，包括SiC MOSFET，其特征在于，还包括正、负向供电电源之间的图腾柱结构电路、开通驱动电路、关断驱动电路和电压反馈信号调理电路，所述图腾柱结构电路的输出端分别连接开通、关断驱动电路的输入端，开通、关断驱动电路的输出端以及电压反馈信号调理电路的输入端与SiC MOSFET的栅极连接。本发明能够在充分保持SiC MOSFET高开关速度以及低损耗优势的情况下，对开关过程出现的电流电压超调进行有效的抑制。
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公开(公告)号：CN114337201B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111521031.8
申请日：2021-12-13
申请人： 南京航空航天大学 , 南京开关厂股份有限公司
摘要： 本发明是关于一种抑制SiC MOSFET尖峰及串扰的驱动电路，连接于SiC MOSFET驱动电路中，驱动电路包括上下桥臂，下桥臂的第一正向、第一负向供电电源之间连接电压图腾柱结构电路，电压图腾柱结构电路的输出端连接驱动电阻电路和负压关断电压上拉电路的输入端，驱动电阻电路的输出端连接电流抽取电路和电流注入电路的输入端，负压关断电压上拉电路的输出端连接下桥臂SiC MOSFET的栅极相连；上桥臂除无负压关断电压上拉电路外，与下桥臂对称设置。本发明能够充分发挥SiC MOSFET高开关速度，低损耗的性能优势，且在实现抑制开通电流、关断电压尖峰的同时抑制了桥臂串扰负压关断带来的附加损耗。
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公开(公告)号：CN106301308A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610615553.7
申请日：2016-07-29
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H03K17/0814 , H03K17/042 , H03K17/687 , H02H9/04
摘要： 本发明为一种抑制SiC MOSFET关断过压的有源电压驱动控制电路及其控制方法，属于电力电子技术与电工技术领域，控制电路主要包括采样电路、测量放大器、模拟开关、叠加电路和驱动电路五部分；控制方法通过实时采集SiC MOSFET关断时的漏源电压进行反馈，对SiC MOSFET关断时的栅极驱动信号进行动态补偿，从而实现不受器件参数分散性的影响，将其关断时的漏源电压峰值控制在一定范围内，从而实现不受器件参数分散性的影响。
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公开(公告)号：CN114900045B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202210656226.1
申请日：2022-06-10
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明提供了一种提高四模式FSBB(四开关Buck‑Boost)效率的驱动电路及方法，与开关管栅极相连的驱动电路包括正向驱动电压线性调节电路，正向驱动电压选择电路，正向驱动电压与负向驱动电压之间的图腾柱结构电路以及驱动电阻。其中，正向驱动电压线性调节电路的两路输出将驱动电压设置为两个不同值，正向驱动电压选择电路可以选择正向驱动电压线性调节电路的两路输出中的其中一路，并将该路输出与图腾柱结构电路相连。控制管的驱动信号由四开关Buck‑Boost变换器的工作模式决定。本发明能够降低四模式四开关Buck‑Boost变换器在多个模式下的开关管损耗，提升变换器效率，并确保开关管的栅极可靠性。
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公开(公告)号：CN115037023A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210781730.4
申请日：2022-07-04
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了适用于冲压涡轮自主发电系统及其能量管理方法，主要由能量管理单元实现整个涡轮发电系统的稳定运行。冲压涡轮发电系统划分为上电过程、发电机承担负载功率、发电机承担部分负载功率、加载过程及卸载过程五种工作模态。这五种模态基本覆盖了冲压涡轮发电系统的所有工况，通过主控制器对发电系统各部分的协同操作，分别对这五种模态的能量流向进行管理，保证了发电系统高效率的同时也提高了系统的稳定性与可靠性。
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