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公开(公告)号：CN105958852B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201610392537.6
申请日：2016-06-03
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了基于电压分区的电流型PWM整流器多级叠流时间控制方法，该控制方法基于电流型PWM整流器，首先设定三个设定值并实时采集网侧线电压；通过把所述网侧线电压值与所述设定值相比，将网侧线电压分为四个电压区域；最后，针对各所述电压区域设定相应的叠流时间；该方法与现有的叠流时间控制方法相比，该叠流时间控制方法能够减小网侧电流的畸变，加速换流速度，减小换流损耗。
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公开(公告)号：CN106100296A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610459751.9
申请日：2016-06-22
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H02M1/088
CPC分类号： Y02B70/1483 , H02M1/088 , H02M2001/0048
摘要： 本发明公开一种驱动电平组合优化的桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法，电路包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管的栅极间的第一栅极电压图腾柱结构电路、连接在上桥臂的第二供电电源与上管的源极间的第一源极电压图腾柱结构电路、与第一栅极电压图腾柱结构电路连接的第一低阻抗桥臂串扰抑制回路、连接在下桥臂的第三供电电源与下管的栅极间的第二栅极电压图腾柱结构电路、连接在下桥臂的第四供电电源与下管的源极间的第二源极电压图腾柱结构电路，以及与第二栅极电压图腾柱结构电路连接的第二低阻抗桥臂串扰抑制回路。此种驱动电路可充分发挥SiC MOSFET高速开关的性能优势，在实现桥臂串扰抑制功能的同时提高开通及关断瞬间的驱动电压，实现高速开关。
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公开(公告)号：CN109217645A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811294571.5
申请日：2018-11-01
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H02M1/08
摘要： 本发明公开了一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法，所述驱动电路是针对一种非绝缘栅型GaN HEMT的无容式高速驱动电路，用于驱动GaN HEMT，包括高速开通电路、稳态驱动电路、关断电路和反相电路。通过所述驱动电路实现的控制方法，能够在GaN HEMT开关过程中提供足够大的电流尖峰，稳态时提供足够的驱动电流维持GaN HEMT的正常导通，且关断后不会出现栅源负压，降低其反向导通损耗，高速开关的同时尽可能降低驱动损耗，实现高速、高效率驱动GaN HEMT。
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公开(公告)号：CN108649777A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810326422.6
申请日：2018-04-12
申请人： 南京航空航天大学
摘要： 本发明公开了一种eGaN HEMT桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法，电路包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管之间的第一驱动电路和连接在下桥臂的第二供电电源与下管之间的第二驱动电路，第一、第二驱动电路结构相同，均包括栅极电压图腾柱结构电路和低阻抗桥臂串扰抑制电路。其中，栅极电压图腾柱结构电路的输入端接第一/第二供电电源，输出端连接上管/下管的栅极，低阻抗桥臂串扰抑制电路的输入端接第一/第二供电电源，输出端分别连接上管/下管的栅极和源极。此种驱动电路可充分发挥eGaN HEMT高速开关的性能优势，在实现桥臂串扰抑制功能的同时实现高速开关。
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公开(公告)号：CN106301308A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610615553.7
申请日：2016-07-29
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H03K17/0814 , H03K17/042 , H03K17/687 , H02H9/04
摘要： 本发明为一种抑制SiC MOSFET关断过压的有源电压驱动控制电路及其控制方法，属于电力电子技术与电工技术领域，控制电路主要包括采样电路、测量放大器、模拟开关、叠加电路和驱动电路五部分；控制方法通过实时采集SiC MOSFET关断时的漏源电压进行反馈，对SiC MOSFET关断时的栅极驱动信号进行动态补偿，从而实现不受器件参数分散性的影响，将其关断时的漏源电压峰值控制在一定范围内，从而实现不受器件参数分散性的影响。
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公开(公告)号：CN106301308B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610615553.7
申请日：2016-07-29
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H03K17/0814 , H03K17/042 , H03K17/687 , H02H9/04
摘要： 本发明为一种抑制SiC MOSFET关断过压的有源电压驱动控制电路及其控制方法，属于电力电子技术与电工技术领域，控制电路主要包括采样电路、测量放大器、模拟开关、叠加电路和驱动电路五部分；控制方法通过实时采集SiC MOSFET关断时的漏源电压进行反馈，对SiC MOSFET关断时的栅极驱动信号进行动态补偿，从而实现不受器件参数分散性的影响，将其关断时的漏源电压峰值控制在一定范围内，从而实现不受器件参数分散性的影响。
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公开(公告)号：CN105846665B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610274776.1
申请日：2016-04-28
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H02M1/38 , H03K17/041 , H03K17/16
摘要： 本发明所解决的技术问题在于提供一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路。当驱动电源故障导致桥臂直通时，自保护电路中辅助电容放电，在SiC JFET栅源极施加一个负向关断电压，迫使其快速关断，使控制器能够在安全时间范围内切断电源，达到保护的目的。另外，驱动输出采用RCD结构，既可以实现SiC JFET高速开关，又可以抑制密勒电流引起的栅极电压振荡，是一种适用于高速桥臂结构的常通型SiC JFET驱动电路。
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公开(公告)号：CN106291049A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610616115.2
申请日：2016-07-29
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： G01R19/00
CPC分类号： G01R19/0092
摘要： 本发明公开一种基于双向饱和电流传感器的电流检测电路及其驱动方法，该检测电路由磁环式电流传感器、H桥电流检测电路及桥臂功率器件驱动电路组成，采用电流传感器实现耐高温工作能力及隔离功能；采用H桥电流检测电路使电流传感器副边双向饱和，补偿了正负剩磁对电流检测的影响，并消除了正负剩磁随温度漂移的误差；采用比较器及D触发器实现快速响应。与现有电流检测电路相比，可同时满足耐高温工作能力、具有隔离功能、快速响应及高精度等要求，适合应用于基于SiC MOSFET的耐高温电机驱动器电流检测。
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公开(公告)号：CN106130522A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610551724.4
申请日：2016-07-14
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H03K17/082 , H02H9/02
CPC分类号： H03K17/0822 , H02H9/02 , H03K2217/0081
摘要： 一种适用于直流固态功率控制器的SiC MOSFET渐变电平驱动电路及方法，驱动电路输出的驱动信号通过反向电路后，输出第一运算放大器输出信号；第一运算放大器输出信号通过梯形波产生电路，对第一运算放大器输出信号积分，输出第二运算放大器输出信号；同相比例运算电路对驱动信号进行同相比例放大，输出第六连接信号；第二运算放大器输出信号和第六连接信号通过渐变电平电路进行加法计算，输出渐变电平电路输出信号，该信号为渐变电平驱动信号。本发明与现有技术相比，有效抑制直流SSPC感性负载关断时引起的电压尖峰，提高直流SSPC的负载兼容性，并克服已有方法结构复杂、工程实现复杂等不足。
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公开(公告)号：CN109217645B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201811294571.5
申请日：2018-11-01
申请人： 南京航空航天大学
IPC分类号： H02M1/08
摘要： 本发明公开了一种非绝缘栅型GaN HEMT驱动电路及控制方法，所述驱动电路是针对一种非绝缘栅型GaN HEMT的无容式高速驱动电路，用于驱动GaN HEMT，包括高速开通电路、稳态驱动电路、关断电路和反相电路。通过所述驱动电路实现的控制方法，能够在GaN HEMT开关过程中提供足够大的电流尖峰，稳态时提供足够的驱动电流维持GaN HEMT的正常导通，且关断后不会出现栅源负压，降低其反向导通损耗，高速开关的同时尽可能降低驱动损耗，实现高速、高效率驱动GaN HEMT。
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