一种主动抑制SiC MOSFET关断电压尖峰和振荡的电路

    公开(公告)号:CN117081553A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202311211839.5

    申请日:2023-09-20

    Abstract: 本发明公开了一种主动抑制SiC MOSFET关断电压尖峰和振荡的电路,涉及电力电子技术与电工技术领域。该电路由电压检测及脉冲产生电路和缓冲电路两部分构成,通过检测SiC MOSFET关断过程中栅源电压和漏源电压的变化,精确识别关断电压过冲和振荡发生的阶段,进而产生缓冲电路中可控开关的控制信号,精准控制缓冲电路的工作时间范围,当漏源电压高于母线电压时,将缓冲电容接入电路,此时缓冲电容并联在SiC MOSFET漏源两端,将漏源电压钳位在母线电压附近,从而抑制漏源电压的过冲和振荡。本发明保留了SiC MOSFET的高开关速度和低损耗的优点,且缓冲电路中吸收的过冲和振荡的能量可反馈至功率回路,在提高能量利用率的同时,能有效抑制SiC MOSFET关断电压尖峰和振荡。

Patent Agency Ranking