公开(公告)号：CN117549142A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202311465779.X

申请日：2023-11-06

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 朱永伟 ,  吴鹏飞 ,  李学 ,  刘宁 ,  左敦稳

IPC: B24B1/00 ,  B24B57/02 ,  B24B53/017 ,  C09G1/02

Abstract: 一种基于固结磨料垫在线修整的碳化硅衬底的化学机械抛光方法，其特征是在抛光加工工件时，向固结磨料垫上同时供给抛光液和修整辅助液，抛光液通过化学作用在工件表面形成软化层后，依靠固结磨料垫上的磨粒对软化层进行有效去除，同时修整辅助液中的磨料促进固结磨料垫基体磨损从而使得固结磨料垫中钝化磨粒的脱落和新鲜磨粒的出露，根据抛光工艺需求可控制修整辅助液中磨料种类、粒径、浓度、流速。本发明实现了固结磨料垫在线修整的可控性，能有效提高了碳化硅衬底的抛光效率和固结磨料垫的在线修整能力。

公开(公告)号：CN119304773A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202411329223.2

申请日：2024-09-24

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 朱永伟 ,  吴鹏飞 ,  李学 ,  刘宁

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/34 ,  B24B1/00 ,  C25D11/32 ,  H01L21/306

Abstract: 一种基于固结磨料的第三代半导体晶圆的电化学机械抛光方法及装置，其特征是根据半导体晶圆尺寸调整工件夹持装置并吸附在加压装置上，半导体晶圆通过导电环连接到电源的正极为电解系统的阳极；固结磨料垫通过导电胶固定在抛光盘上，通过导电环连接到电源负极为电解系统的阴极；在抛光时抛光液通过固结磨料垫上的通孔与固定抛光垫的导电胶相连形成电解池通路，抛光时在第三代半导体晶圆表面发生化学氧化和阳极氧化共同形成一层硬度较低的钝化氧化层，钝化氧化层的谷被钝化保护，峰被固结磨料快速去除，实现了第三代半导体晶圆表面阳极氧化并在线去除的抛光模式。本发明具有磨料利用率高、材料去除率高、表面质量好、抛光液循环使用等优点。