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公开(公告)号：CN110768656B
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN201911126233.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种自恢复反相单元结构，包含第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，实现了将输入信号反相输出的功能，同时若当输出节点OUT发生单粒子翻转时，由于第一PMOS管和第三NMOS管自身的反馈特性，输出节点OUT的值将迅速被纠正，且该反馈机制只有在自恢复反相单元输出节点受到干扰时才开启，进一步降低了构建锁存模块的硬件和功耗开销。本发明可广泛应用在构建锁存器的结构中，用于实现抗单粒子翻转加固的功能，本发明适用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。
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公开(公告)号：CN110752840A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911124526.X
申请日：2019-11-18
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射增强反相单元及抗单粒子翻转可自恢复锁存器，针对现有技术中存在的缺陷，本发明的锁存器采用了一个新型的抗辐射锁存反相单元和一个新型的抗辐射增强反相单元的连接方式，在结构上实现了对内部节点和输出节点的加固，实现了对单粒子翻转的免疫功能。该锁存器采用钟控技术、高速通路和较少数量的晶体管，降低了锁存器的面积和功耗开销，提高了电路性能。该锁存器适用于高可靠性的集成电路与系统，可广泛应用于对锁存器可靠性及综合开销要求较高的领域。
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公开(公告)号：CN110752840B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN201911124526.X
申请日：2019-11-18
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明公开了一种抗辐射增强反相单元及抗单粒子翻转可自恢复锁存器，针对现有技术中存在的缺陷，本发明的锁存器采用了一个新型的抗辐射锁存反相单元和一个新型的抗辐射增强反相单元的连接方式，在结构上实现了对内部节点和输出节点的加固，实现了对单粒子翻转的免疫功能。该锁存器采用钟控技术、高速通路和较少数量的晶体管，降低了锁存器的面积和功耗开销，提高了电路性能。该锁存器适用于高可靠性的集成电路与系统，可广泛应用于对锁存器可靠性及综合开销要求较高的领域。
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公开(公告)号：CN112858889B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110074149.4
申请日：2021-01-20
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种面向超大规模集成电路的故障注入电路，属于基本电子电路的技术领域。该电路包括故障注入模块和故障注入状态机模块。故障注入模块包括故障数据的生成，故障注入对象的选择和时分复用逻辑，故障数据的生成是对触发器添加查找表和数据选择器，根据故障类型生成不同的故障数据；故障注入对象的选择是为电路中所有的触发器依次分配唯一的ID编号，然后通过译码电路解析ID来选择特定的触发器注入故障；时分复用逻辑主要是将时间划分为故障注入和正常工作两个部分；故障注入状态机主要根据故障注入参数来控制故障注入过程从而模拟单粒子效应；在Zynq‑7000 SoC上实现该电路时可以通过PS和PL的交互优化故障注入机制，加快故障注入速度。
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公开(公告)号：CN113098498A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110356198.7
申请日：2021-04-01
Applicant: 南京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种基于恢复机制的PFD电路，属于基本电子电路的技术领域。该电路包含外界参考时钟信号上升沿检测模块、外界反馈时钟信号上升沿检测模块、仲裁模块、复位模块、外界参考时钟信号上升沿恢复模块和外界反馈时钟信号上升沿恢复模块；本发明基于恢复机制，设计了RTL消盲PFD电路，解决了传统PFD的盲区问题，适用在FPGA上实现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112858889A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110074149.4
申请日：2021-01-20
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种面向超大规模集成电路的故障注入电路，属于基本电子电路的技术领域。该电路包括故障注入模块和故障注入状态机模块。故障注入模块包括故障数据的生成，故障注入对象的选择和时分复用逻辑，故障数据的生成是对触发器添加查找表和数据选择器，根据故障类型生成不同的故障数据；故障注入对象的选择是为电路中所有的触发器依次分配唯一的ID编号，然后通过译码电路解析ID来选择特定的触发器注入故障；时分复用逻辑主要是将时间划分为故障注入和正常工作两个部分；故障注入状态机主要根据故障注入参数来控制故障注入过程从而模拟单粒子效应；在Zynq‑7000 SoC上实现该电路时可以通过PS和PL的交互优化故障注入机制，加快故障注入速度。
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公开(公告)号：CN110752841A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911125932.8
申请日：2019-11-18
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种高可靠性可自恢复的锁存器结构，提出了一个新型的脉冲锁存单元和一个新型的自恢复反相单元的连接方式，在结构上实现了对内部节点和外部输出节点的加固，实现了对单粒子翻转的免疫功能。该锁存器采用钟控技术、高速通路和较少数量的晶体管，降低了锁存器的开销，提高了电路性能。本发明适用于高可靠性的集成电路与系统，可应用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。
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公开(公告)号：CN110739962A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911125938.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H03K19/0948
Abstract: 本发明涉及种脉冲锁存单元结构，包含第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和门控单元DUC，实现了对输入信号的锁存功能。本发明可广泛应用在构建锁存器的结构中，适用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。
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公开(公告)号：CN110739962B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN201911125938.5
申请日：2019-11-18
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H03K19/0948
Abstract: 本发明涉及种脉冲锁存单元结构，包含第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管和门控单元DUC，实现了对输入信号的锁存功能。本发明可广泛应用在构建锁存器的结构中，适用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。
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公开(公告)号：CN110752841B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201911125932.8
申请日：2019-11-18
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H03K19/003
Abstract: 本发明涉及一种高可靠性可自恢复的锁存器结构，提出了一个新型的脉冲锁存单元和一个新型的自恢复反相单元的连接方式，在结构上实现了对内部节点和外部输出节点的加固，实现了对单粒子翻转的免疫功能。该锁存器采用钟控技术、高速通路和较少数量的晶体管，降低了锁存器的开销，提高了电路性能。本发明适用于高可靠性的集成电路与系统，可应用于对锁存器的可靠性及综合开销要求较高的领域。
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