公开(公告)号：CN102157682B

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201010559251.5

申请日：2010-11-25

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈孝敏 ,  刘璐 ,  袁国亮

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种通过铁电极化可以调控有效电阻的单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式。本发明的单相铁电薄膜包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1-xSrxTi1-yByO3、铁酸铅Pb(Fe1-yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1-yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1-xAx)(ZryTi1-y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1-xAxMnO3、铁酸铋Bi1-xAxFeO3、钛酸铋Bi4-xAxTi3O12；本发明利用脉冲激光沉积、激光分子束外延、磁控溅射的薄膜制备方法制备单相铁电薄膜；制得的铁电薄膜的厚度在0.4-1000纳米，并且具有较大的电导和漏电流，同时具备铁电性和半导体性能；本发明提供了一种提高单相铁电薄膜抗疲劳性能的方法，其铁电极化翻转次数可以提高到x=102~1010次，通过翻转铁电极化，可以调控单相铁电薄膜的有效电阻。

公开(公告)号：CN102157682A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201010559251.5

申请日：2010-11-25

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 陈孝敏 ,  刘璐 ,  袁国亮

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种通过铁电极化可以调控有效电阻的单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方式。本发明的单相铁电薄膜包括B位掺杂的锆钛酸钡Ba1-xSrxTi1-yByO3、铁酸铅Pb(Fe1-yBy)O3、钴酸铅Pb(Co1-yBy)O3、锆钛酸铅(Pb1-xAx)(ZryTi1-y)O3、A位掺杂的锰酸钇Y1-xAxMnO3、铁酸铋Bi1-xAxFeO3、钛酸铋Bi4-xAxTi3O12；本发明利用脉冲激光沉积、激光分子束外延、磁控溅射的薄膜制备方法制备单相铁电薄膜；制得的铁电薄膜的厚度在0.4-1000纳米，并且具有较大的电导和漏电流，同时具备铁电性和半导体性能；本发明提供了一种提高单相铁电薄膜抗疲劳性能的方法，其铁电极化翻转次数可以提高到x=102~1010次，通过翻转铁电极化，可以调控单相铁电薄膜的有效电阻。