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公开(公告)号:CN103344151B
公开(公告)日:2015-02-25
申请号:CN201310292522.9
申请日:2013-07-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法,所述开关包括硅基衬底、硅基衬底上的SiO2绝缘层、金属铜层和肖特基结桥区层;本发明与现有技术相比其显著优点:(1)开关尺寸小,制作成本低,利用MEMS(微机电系统)技术易于与爆炸箔起爆系统集成,实现爆炸箔起爆系统的微型化;(2)含肖特基结的开关触发电压低,能够抗杂散电流,具有一定的安全性,并且通过控制肖特基结的数量达到激发能量可控;(3)本开关为一次作用器件,满足爆炸箔起爆系统一次作用的特点,和传统的真空触发开关相比,提高了开关的使用率。
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公开(公告)号:CN104697405A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201510105030.3
申请日:2015-03-10
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42B3/13
Abstract: 本发明公开了一种EFI芯片单元及其制备方法、以及基于该芯片单元的爆炸箔起爆装置。所述EFI芯片单元包括:陶瓷基底、金属Ti/Cu层、Parylene C层、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au、肖特基二级管和Su8加速膛,所述爆炸箔起爆装置包括该EFI芯片单元、飞片、炸药柱、印制电路板底座、传输线、低压贴片电容、高压贴片电容。所述金属Ti/Cu层在单触发开关单元中作下电极,在爆炸箔起爆单元中作爆炸箔,Parylene C层在单触发开关单元中作上下电极间的绝缘层,在爆炸箔起爆单元中作爆炸箔起爆器的飞片层,加速膛采用Su8光刻胶集成制造,减少了工艺流程,成本低,体积小;采用肖特基二极管具有反向击穿特性,使开关能够抗杂散电流,具有本质的安全性。
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公开(公告)号:CN103868422A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201410120549.4
申请日:2014-03-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: F42D1/045
Abstract: 本发明公开了一种肖特基单触发开关集成EFI芯片单元及爆炸箔起爆装置。所述肖特基单触发开关集成EFI芯片单元包括:Si3N4的硅基底、金属Ti/Cu层、聚酰亚胺层、上电极Ti/W/Ti/Cu/Au和肖特基二级管,所述爆炸箔起爆装置包括肖特基单触发开关集成EFI芯片单元、飞片、加速膛、炸药柱、印制电路板底座、传输线、低压贴片电容、高压贴片电容。本发明与现有技术相比,其显著优点在于金属Ti/Cu层在肖特基单触发开关单元中作下电极,在爆炸箔起爆单元中作爆炸箔,聚酰亚胺层在肖特基单触发开关单元中作上下电极间的绝缘层,在爆炸箔起爆单元中作爆炸箔起爆器的飞片层,减少了工艺流程,成本低,体积小;肖特基二极管具有反向击穿特性,使开关能够抗杂散电流,具有本质的安全性。
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公开(公告)号:CN119093339A
公开(公告)日:2024-12-06
申请号:CN202411173020.9
申请日:2024-08-26
Applicant: 南京理工大学 , 国网辽宁省电力有限公司大连供电公司
Abstract: 机会约束下基于随机模型预测控制的自治区域划分方法,运用差分自回归移动平均模型对风电光伏出力进行预测;考虑风光出力不确定性,以自治区域失负荷风险率最小为目标,建立自治区域划分机会约束体系;结合光伏、风机的预测误差概率模型,采用场景分析法在规定的合理出力区间内生成分布式出力场景集,运用随机模拟技术对机会约束求解;构建基于随机模型预测控制的新型配电系统自治区域划分优化模型,通过滚动优化和反馈矫正,不断向前滚动寻优。该方法用于解决现有技术中分布式能源接入配网造成的控制维度过高问题,能够在一定置信度水平下保证失负荷风险概率维持在较低水平,在保证供电可靠性的同时提高分布式新能源的消纳、自治区域的稳定性。
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公开(公告)号:CN119583956A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411029190.X
申请日:2024-07-30
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于相关性引导的时间注意力的深度在线视频稳定方法,通过基于相关性引导的时间注意力CTA模块和基于像素的扭曲场生成PbWM模块实现视频稳定;其中,CTA模块:根据自定义的度量对输入的历史不稳定帧进行重采样;学习每一帧重采样的历史不稳定帧与输入的待稳定的不稳定帧之间的相关性,得到每一次重采样的历史不稳定帧的权重;基于所述权重进行残差连接,得到新的输入帧序列;其中,PbWM模块:输入所述新的连续序列,学习扭曲映射,输出双通道翘曲场;基于所述双通道翘曲场进行翘曲操作,生成稳定视频。本发明的稳定方法的性能与传统的离线方法相当,且优于现有的深度在线方法,特别是在帧数更少、速度更快的情况下性能更高。
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公开(公告)号:CN103344151A
公开(公告)日:2013-10-09
申请号:CN201310292522.9
申请日:2013-07-12
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于爆炸箔起爆器的肖特基结平面爆炸开关及其制备方法,所述开关包括硅基衬底、硅基衬底上的SiO2绝缘层、金属铜层和肖特基结桥区层;本发明与现有技术相比其显著优点:(1)开关尺寸小,制作成本低,利用MEMS(微机电系统)技术易于与爆炸箔起爆系统集成,实现爆炸箔起爆系统的微型化;(2)含肖特基结的开关触发电压低,能够抗杂散电流,具有一定的安全性,并且通过控制肖特基结的数量达到激发能量可控;(3)本开关为一次作用器件,满足爆炸箔起爆系统一次作用的特点,和传统的真空触发开关相比,提高了开关的使用率。
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