公开(公告)号：CN119066901A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410537380.6

申请日：2024-04-30

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 苏恺扬 ,  汪烨辉 ,  汤轩赫 ,  吴震 ,  张雨菲 ,  张新平 ,  刘伟 ,  侯怀宇 ,  彭俊胜

IPC: G06F30/23 ,  G16C60/00 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种构建含孔洞缺陷的SiC陶瓷块体材料高温快速断裂模型的方法，包括：(1)获得试样孔洞信息，包括每个孔洞的位置、体积；(2)开展三点弯曲实验，获得该试样的弯曲强度；(3)采用Python语言进行二次开发，按照孔洞位置和体积在Abaqus软件中建立含孔洞缺陷的SiC陶瓷块体材料三点弯曲实验模型；(4)在Abaqus软件中模拟试样不同弹性模量E和极限抗拉强度UTS条件下的弯曲强度模拟试验；(5)通过对比模拟试验所得弯曲强度和实测弯曲强度，确定试样的弹性模量E以及极限抗拉强度UTS，即可建立快速断裂模型。本发明有助于SiC陶瓷块体材料在实际应用中的可靠性分析。