一种铌镁酸铅-钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114621009B

    公开(公告)日:2023-02-28

    申请号:CN202210259100.0

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 本发明公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料,所述压电陶瓷材料用以下通式表示:(1‑x)(0.68PbMg1/3Nb2/3O3‑0.32PbTiO3)‑x(Bi0.5Na0.5)ZrO3,其中0.00<x≤0.07;所述铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料的制备方法包括如下步骤:(1)制备前驱体MgNb2O6;(2)制备基体材料0.68PMN‑0.32PT;(3)制备粉料;(4)制备坯体;(5)制备所述压电陶瓷材料。本发明制备的铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铋钠三元系压电陶瓷,压电系数d33可达1040pC/N,室温下的介电常数εr可达6559。

    一种反铁电体与GaN半导体组成的复合陶瓷及其制备方法

    公开(公告)号:CN115057703A

    公开(公告)日:2022-09-16

    申请号:CN202210696004.2

    申请日:2022-06-20

    Abstract: 本发明公开了一种反铁电体与GaN半导体组成的复合陶瓷,其结构式为(1‑x)PNZST:xGaN,其中0.01≤x≤0.10;PNZST的具体结构式为Pb0.99Nb0.02[(Zr0.57Sn0.43)1‑yTiy]0.98O3,0.060≤y≤0.067。本发明通过两步固相烧结反应法制得,GaN的加入实现了基体材料从反铁电相转变为铁电相,通过温度诱导,复合材料会随着温度的变化而发生铁电‑反铁电相变,而实现较大的极化强度变化率,从而获得优异的热释电性能。这种新的工艺方式为热释电材料的发展开拓了新的材料设计思路,为非制冷红外探测技术领域提供材料基础。

    一种铌镁酸铅-钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN114621009A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202210259100.0

    申请日:2022-03-16

    Abstract: 本发明公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料,所述压电陶瓷材料用以下通式表示:(1‑x)(0.68PbMg1/3Nb2/3O3‑0.32PbTiO3)‑x(Bi0.5Na0.5)ZrO3,其中0.00<x≤0.07;所述铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料的制备方法包括如下步骤:(1)制备前驱体MgNb2O6;(2)制备基体材料0.68PMN‑0.32PT;(3)制备粉料;(4)制备坯体;(5)制备所述压电陶瓷材料。本发明制备的铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铋钠三元系压电陶瓷,压电系数d33可达1040pC/N,室温下的介电常数εr可达6559。

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