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公开(公告)号:CN116675532A
公开(公告)日:2023-09-01
申请号:CN202310588092.9
申请日:2023-05-23
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622 , C04B41/88 , H10N30/097 , H10N30/853
Abstract: 本发明公开了一种铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法。所述铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅压电陶瓷的化学式为:xwt.%MnNbO4‑yPb(Yb0.5Nb0.5)O3‑zPbZrO3‑(1‑y‑z)PbTiO3,其中,1.4≤x≤1.8,0.1≤y≤0.14,0.37≤z≤0.42。本发明所述通过铌酸锰掺杂以及采用固相烧结法制备,获得具有较高的机械品质因数和优良压电系数的铌酸锰掺杂铌镱酸铅‑锆钛酸铅(MnN‑PYN‑PZT)压电陶瓷,该压电陶瓷可以更好地满足大功率超声焊接机、超声探伤仪等大功率器件的基本性能需求。
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公开(公告)号:CN116474759A
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN202310456432.2
申请日:2023-04-25
Applicant: 南京理工大学
IPC: B01J23/18 , C02F1/46 , C02F1/72 , B01J35/00 , C04B35/475 , C04B35/626 , C02F101/30 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明公开了一种利用室温波动来降解染料污水的纳米级热释电催化剂及其制备方法。本发明所述纳米热释电催化剂的通式为:(0.94‑x)Bi0.5Na0.5TiO3‑0.06BaTiO3‑xBiGaO3,其中0.00<x≤0.03。本发明制备的三元热释电材料降解效率高,生产成本低,工艺简单,利用室温冷热波动即可实现染料污水的降解,工艺简便,成本低,便于工业化生产,应用前景大,无需额外的能源供给,利用自然界的冷热波动,染料亚甲基蓝的降解效率高达97%。
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公开(公告)号:CN114621009B
公开(公告)日:2023-02-28
申请号:CN202210259100.0
申请日:2022-03-16
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料,所述压电陶瓷材料用以下通式表示:(1‑x)(0.68PbMg1/3Nb2/3O3‑0.32PbTiO3)‑x(Bi0.5Na0.5)ZrO3,其中0.00<x≤0.07;所述铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料的制备方法包括如下步骤:(1)制备前驱体MgNb2O6;(2)制备基体材料0.68PMN‑0.32PT;(3)制备粉料;(4)制备坯体;(5)制备所述压电陶瓷材料。本发明制备的铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铋钠三元系压电陶瓷,压电系数d33可达1040pC/N,室温下的介电常数εr可达6559。
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公开(公告)号:CN115057703A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202210696004.2
申请日:2022-06-20
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种反铁电体与GaN半导体组成的复合陶瓷,其结构式为(1‑x)PNZST:xGaN,其中0.01≤x≤0.10;PNZST的具体结构式为Pb0.99Nb0.02[(Zr0.57Sn0.43)1‑yTiy]0.98O3,0.060≤y≤0.067。本发明通过两步固相烧结反应法制得,GaN的加入实现了基体材料从反铁电相转变为铁电相,通过温度诱导,复合材料会随着温度的变化而发生铁电‑反铁电相变,而实现较大的极化强度变化率,从而获得优异的热释电性能。这种新的工艺方式为热释电材料的发展开拓了新的材料设计思路,为非制冷红外探测技术领域提供材料基础。
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公开(公告)号:CN114621009A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202210259100.0
申请日:2022-03-16
Applicant: 南京理工大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料,所述压电陶瓷材料用以下通式表示:(1‑x)(0.68PbMg1/3Nb2/3O3‑0.32PbTiO3)‑x(Bi0.5Na0.5)ZrO3,其中0.00<x≤0.07;所述铌镁酸铅‑钛酸铅基压电陶瓷材料的制备方法包括如下步骤:(1)制备前驱体MgNb2O6;(2)制备基体材料0.68PMN‑0.32PT;(3)制备粉料;(4)制备坯体;(5)制备所述压电陶瓷材料。本发明制备的铌镁酸铅‑钛酸铅‑锆酸铋钠三元系压电陶瓷,压电系数d33可达1040pC/N,室温下的介电常数εr可达6559。
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