人体静电作用下半导体器件电热一体化分析方法

    公开(公告)号:CN109543204B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN201710867700.4

    申请日:2017-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种人体静电作用下半导体器件电热一体化分析方法。该方法步骤如下:1)建立半导体器件的求解模型,并采用曲六面体对模型进行剖分,得到模型的结构信息;2)将半导体器件接入到人体静电放电等效模型电路中去,实现半导体与外电路的联合求解,列出所需要的KVL、KCL方程并求解;3)对半导体器件内部的电热特性进行分析,得到当前时刻半导体器件内部的电压、电流分布和温度分布;4)将所求得的半导体器件内部的电流值带入到2)方程中,如果满足外电路的收敛精度,则输出此时半导体器件的电压、电流和温度值;如果不满足则继续进行迭代求解。本发明将半导体器件与人体静电外电路模型连接起来,能够快速得到器件内部电场分布和温度分布。

    中大直径螺柱焊专用稳弧剂及焊接方法

    公开(公告)号:CN106903403A

    公开(公告)日:2017-06-30

    申请号:CN201710189592.X

    申请日:2017-03-27

    CPC classification number: B23K9/20 B23K9/235 B23K35/3602

    Abstract: 本发明公开了一种中大直径螺柱焊专用稳弧剂及焊接方法,该方法包括以下步骤:步骤1、配制专用稳弧剂;步骤2、将专用稳弧剂包裹在铝箔内,并制成环状;步骤3、加工螺柱,螺柱锥角为150°;步骤4、机械打磨螺柱及母材表面;步骤5、用丙酮清洗母材及螺柱表面,快速吹干;步骤6、将做好的专用稳弧剂环置于与螺柱匹配的陶瓷环底部,并将陶瓷环套在螺柱上;步骤7、夹取螺柱,将母材水平放置,将套有陶瓷圈的螺柱的锥形端向下,垂直母材,使螺柱对母材施以一定的压力;步骤8、提升螺柱,拉弧,完成焊接。该专用稳弧剂及方法可实现稳定电弧、减少焊接过程中的飞溅现象;可消除和减少焊接缺陷,可焊接结构复杂且结构拘束度高的大型构件。

    人体静电作用下半导体器件电热一体化分析方法

    公开(公告)号:CN109543204A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201710867700.4

    申请日:2017-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种人体静电作用下半导体器件电热一体化分析方法。该方法步骤如下:1)建立半导体器件的求解模型,并采用曲六面体对模型进行剖分,得到模型的结构信息;2)将半导体器件接入到人体静电放电等效模型电路中去,实现半导体与外电路的联合求解,列出所需要的KVL、KCL方程并求解;3)对半导体器件内部的电热特性进行分析,得到当前时刻半导体器件内部的电压、电流分布和温度分布;4)将所求得的半导体器件内部的电流值带入到2)方程中,如果满足外电路的收敛精度,则输出此时半导体器件的电压、电流和温度值;如果不满足则继续进行迭代求解。本发明将半导体器件与人体静电外电路模型连接起来,能够快速得到器件内部电场分布和温度分布。

    中大直径螺柱焊专用稳弧剂及焊接方法

    公开(公告)号:CN106903403B

    公开(公告)日:2019-06-04

    申请号:CN201710189592.X

    申请日:2017-03-27

    Abstract: 本发明公开了一种中大直径螺柱焊专用稳弧剂及焊接方法,该方法包括以下步骤:步骤1、配制专用稳弧剂;步骤2、将专用稳弧剂包裹在铝箔内,并制成环状;步骤3、加工螺柱,螺柱锥角为150°;步骤4、机械打磨螺柱及母材表面;步骤5、用丙酮清洗母材及螺柱表面,快速吹干;步骤6、将做好的专用稳弧剂环置于与螺柱匹配的陶瓷环底部,并将陶瓷环套在螺柱上;步骤7、夹取螺柱,将母材水平放置,将套有陶瓷圈的螺柱的锥形端向下,垂直母材,使螺柱对母材施以一定的压力;步骤8、提升螺柱,拉弧,完成焊接。该专用稳弧剂及方法可实现稳定电弧、减少焊接过程中的飞溅现象;可消除和减少焊接缺陷,可焊接结构复杂且结构拘束度高的大型构件。

    电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法

    公开(公告)号:CN109543205B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201710867706.1

    申请日:2017-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法。该方法步骤如下:第一步,建立MOSFET的求解模型,并采用曲六面体对模型进行剖分,得到模型的结构信息,包括六面体的单元信息及节点信息;第二步,从载流子电流连续性方程、泊松方程和载流子量子修正方程出发,先用后向欧拉进行时间差分,然后对等式采用不连续伽辽金法测试,强加电场边界条件,求解得到各节点的电场及电流分布。本发明在相同计算量的前提下,可以更加清楚的得到在电磁脉冲和电压的作用下,器件内部电场随时间变化的分布情况,在获得相同收敛精度时,可以减少计算量,此外具有建模灵活、剖分方便的优点,形成的矩阵具有良好的稀疏性,求解效率较高。

    电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法

    公开(公告)号:CN109543205A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201710867706.1

    申请日:2017-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法。该方法步骤如下:第一步,建立MOSFET的求解模型,并采用曲六面体对模型进行剖分,得到模型的结构信息,包括六面体的单元信息及节点信息;第二步,从载流子电流连续性方程、泊松方程和载流子量子修正方程出发,先用后向欧拉进行时间差分,然后对等式采用不连续伽辽金法测试,强加电场边界条件,求解得到各节点的电场及电流分布。本发明在相同计算量的前提下,可以更加清楚的得到在电磁脉冲和电压的作用下,器件内部电场随时间变化的分布情况,在获得相同收敛精度时,可以减少计算量,此外具有建模灵活、剖分方便的优点,形成的矩阵具有良好的稀疏性,求解效率较高。

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