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公开(公告)号:CN109543204B
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN201710867700.4
申请日:2017-09-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/23 , G06F17/11 , G06F111/10 , G06F119/08
Abstract: 本发明公开了一种人体静电作用下半导体器件电热一体化分析方法。该方法步骤如下:1)建立半导体器件的求解模型,并采用曲六面体对模型进行剖分,得到模型的结构信息;2)将半导体器件接入到人体静电放电等效模型电路中去,实现半导体与外电路的联合求解,列出所需要的KVL、KCL方程并求解;3)对半导体器件内部的电热特性进行分析,得到当前时刻半导体器件内部的电压、电流分布和温度分布;4)将所求得的半导体器件内部的电流值带入到2)方程中,如果满足外电路的收敛精度,则输出此时半导体器件的电压、电流和温度值;如果不满足则继续进行迭代求解。本发明将半导体器件与人体静电外电路模型连接起来,能够快速得到器件内部电场分布和温度分布。
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公开(公告)号:CN106903403A
公开(公告)日:2017-06-30
申请号:CN201710189592.X
申请日:2017-03-27
Applicant: 南京理工大学
CPC classification number: B23K9/20 , B23K9/235 , B23K35/3602
Abstract: 本发明公开了一种中大直径螺柱焊专用稳弧剂及焊接方法,该方法包括以下步骤:步骤1、配制专用稳弧剂;步骤2、将专用稳弧剂包裹在铝箔内,并制成环状;步骤3、加工螺柱,螺柱锥角为150°;步骤4、机械打磨螺柱及母材表面;步骤5、用丙酮清洗母材及螺柱表面,快速吹干;步骤6、将做好的专用稳弧剂环置于与螺柱匹配的陶瓷环底部,并将陶瓷环套在螺柱上;步骤7、夹取螺柱,将母材水平放置,将套有陶瓷圈的螺柱的锥形端向下,垂直母材,使螺柱对母材施以一定的压力;步骤8、提升螺柱,拉弧,完成焊接。该专用稳弧剂及方法可实现稳定电弧、减少焊接过程中的飞溅现象;可消除和减少焊接缺陷,可焊接结构复杂且结构拘束度高的大型构件。
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公开(公告)号:CN109543204A
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201710867700.4
申请日:2017-09-22
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种人体静电作用下半导体器件电热一体化分析方法。该方法步骤如下:1)建立半导体器件的求解模型,并采用曲六面体对模型进行剖分,得到模型的结构信息;2)将半导体器件接入到人体静电放电等效模型电路中去,实现半导体与外电路的联合求解,列出所需要的KVL、KCL方程并求解;3)对半导体器件内部的电热特性进行分析,得到当前时刻半导体器件内部的电压、电流分布和温度分布;4)将所求得的半导体器件内部的电流值带入到2)方程中,如果满足外电路的收敛精度,则输出此时半导体器件的电压、电流和温度值;如果不满足则继续进行迭代求解。本发明将半导体器件与人体静电外电路模型连接起来,能够快速得到器件内部电场分布和温度分布。
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公开(公告)号:CN108262579B
公开(公告)日:2020-01-24
申请号:CN201711025142.3
申请日:2017-10-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: B23K37/00 , B23K35/28 , C23C24/10 , B23K103/20
Abstract: 本发明用错位韧化过渡结构的钛及钛合金和铝及铝合金过渡接头的制备方法,具体为一种钛及钛合金与铝及铝合金过渡接头的制备方法。对接头结构进行设计,采用开槽添粉熔覆形式制备过渡接头。针对钛铝易形成脆性金属间化合物的问题,分布从接头结构与接头过渡材料两个方面来进行设计,制备出的韧化过渡的异种材料连接接头结构可以避免产生连续脆性相且可以通过控制裂纹扩展来提升接头力学性能的过渡接头,解决钛铝连接接头强度不高的问题。
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公开(公告)号:CN106903403B
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201710189592.X
申请日:2017-03-27
Applicant: 南京理工大学
Abstract: 本发明公开了一种中大直径螺柱焊专用稳弧剂及焊接方法,该方法包括以下步骤:步骤1、配制专用稳弧剂;步骤2、将专用稳弧剂包裹在铝箔内,并制成环状;步骤3、加工螺柱,螺柱锥角为150°;步骤4、机械打磨螺柱及母材表面;步骤5、用丙酮清洗母材及螺柱表面,快速吹干;步骤6、将做好的专用稳弧剂环置于与螺柱匹配的陶瓷环底部,并将陶瓷环套在螺柱上;步骤7、夹取螺柱,将母材水平放置,将套有陶瓷圈的螺柱的锥形端向下,垂直母材,使螺柱对母材施以一定的压力;步骤8、提升螺柱,拉弧,完成焊接。该专用稳弧剂及方法可实现稳定电弧、减少焊接过程中的飞溅现象;可消除和减少焊接缺陷,可焊接结构复杂且结构拘束度高的大型构件。
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公开(公告)号:CN109543205B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201710867706.1
申请日:2017-09-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F30/20
Abstract: 本发明公开了一种电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法。该方法步骤如下:第一步,建立MOSFET的求解模型,并采用曲六面体对模型进行剖分,得到模型的结构信息,包括六面体的单元信息及节点信息;第二步,从载流子电流连续性方程、泊松方程和载流子量子修正方程出发,先用后向欧拉进行时间差分,然后对等式采用不连续伽辽金法测试,强加电场边界条件,求解得到各节点的电场及电流分布。本发明在相同计算量的前提下,可以更加清楚的得到在电磁脉冲和电压的作用下,器件内部电场随时间变化的分布情况,在获得相同收敛精度时,可以减少计算量,此外具有建模灵活、剖分方便的优点,形成的矩阵具有良好的稀疏性,求解效率较高。
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公开(公告)号:CN109543205A
公开(公告)日:2019-03-29
申请号:CN201710867706.1
申请日:2017-09-22
Applicant: 南京理工大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种电磁脉冲纳米半导体器件的电场分析方法。该方法步骤如下:第一步,建立MOSFET的求解模型,并采用曲六面体对模型进行剖分,得到模型的结构信息,包括六面体的单元信息及节点信息;第二步,从载流子电流连续性方程、泊松方程和载流子量子修正方程出发,先用后向欧拉进行时间差分,然后对等式采用不连续伽辽金法测试,强加电场边界条件,求解得到各节点的电场及电流分布。本发明在相同计算量的前提下,可以更加清楚的得到在电磁脉冲和电压的作用下,器件内部电场随时间变化的分布情况,在获得相同收敛精度时,可以减少计算量,此外具有建模灵活、剖分方便的优点,形成的矩阵具有良好的稀疏性,求解效率较高。
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公开(公告)号:CN108262579A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201711025142.3
申请日:2017-10-27
Applicant: 南京理工大学
IPC: B23K37/00 , B23K35/28 , C23C24/10 , B23K103/20
Abstract: 本发明用错位韧化过渡结构的钛及钛合金和铝及铝合金过渡接头的制备方法,具体为一种钛及钛合金与铝及铝合金过渡接头的制备方法。对接头结构进行设计,采用开槽添粉熔覆形式制备过渡接头。针对钛铝易形成脆性金属间化合物的问题,分布从接头结构与接头过渡材料两个方面来进行设计,制备出的韧化过渡的异种材料连接接头结构可以避免产生连续脆性相且可以通过控制裂纹扩展来提升接头力学性能的过渡接头,解决钛铝连接接头强度不高的问题。
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