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公开(公告)号：CN106521598B
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201610956197.5
申请日：2016-10-28
Applicant: 南京工程学院
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种纳米片自组装钴铁氢氧化物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、以Co2+、Fe3+、NO3‑为溶质离子配制电沉积溶液；步骤S2、将泡沫镍作为阴极，石墨片作为阳极分别浸入电沉积溶液中，进行沉积，得到电沉积产物；步骤S3、将步骤S2制得的电沉积产物进行清洗；步骤S4、将步骤S3制得的试样烘干。本发明还公开了上述制备方法制成的纳米片自组装钴铁氢氧化物。本发明制备方法具有简单、高效、成本低、环境污染小等特点，有利于规模化工艺生产。本发明制备的纳米片钴铁氢氧化物大大增加纳米片结构的稳定性，同时使得其作为电极材料时活性比表面积显著提升，提高了离子在电极材料中的的传输速率。
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公开(公告)号：CN105118685A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510509657.5
申请日：2015-08-18
Applicant: 南京工程学院
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，包括：对钴片基体进行预处理，去除其表面的油脂和氧化物；将预处理过的钴片基体置于无水乙醇中进行超声震荡浸泡，取出后烘干，真空保存待用；将待用钴片进行氧化处理，得到氧化钴超电容电极材料。本发明方法简单、高效、制备成本低、环境污染小，制得的氧化钴纳米片电极材料具有优异的电容性能。
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公开(公告)号：CN105118685B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510509657.5
申请日：2015-08-18
Applicant: 南京工程学院
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，包括：对钴片基体进行预处理，去除其表面的油脂和氧化物；将预处理过的钴片基体置于无水乙醇中进行超声震荡浸泡，取出后烘干，真空保存待用；将待用钴片进行氧化处理，得到氧化钴超电容电极材料。本发明方法简单、高效、制备成本低、环境污染小，制得的氧化钴纳米片电极材料具有优异的电容性能。
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公开(公告)号：CN106521598A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610956197.5
申请日：2016-10-28
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种纳米片自组装钴铁氢氧化物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、以Co2+、Fe3+、NO3-为溶质离子配制电沉积溶液；步骤S2、将泡沫镍作为阴极，石墨片作为阳极分别浸入电沉积溶液中，进行沉积，得到电沉积产物；步骤S3、将步骤S2制得的电沉积产物进行清洗；步骤S4、将步骤S3制得的试样烘干。本发明还公开了上述制备方法制成的纳米片自组装钴铁氢氧化物。本发明制备方法具有简单、高效、成本低、环境污染小等特点，有利于规模化工艺生产。本发明制备的纳米片钴铁氢氧化物大大增加纳米片结构的稳定性，同时使得其作为电极材料时活性比表面积显著提升，提高了离子在电极材料中的传输速率。
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公开(公告)号：CN106298272A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610966685.4
申请日：2016-10-28
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种超电容用金属离子掺杂花状MnO2纳米片及其制备方法，采用化学沉淀的方法通过掺杂金属离子引导制备纳米片自组装花状的MnO2，其片层厚度为3～5nm；制备过程为：将浓度比为1：1的硫酸锰和过硫酸铵混合水溶液置于超声恒温水浴环境中，同时向混合溶液中匀速滴加浓度为0.001～0.2mol/L的金属盐溶液，随后继续反应0.5～3h。该方法制备流程简单、成本低廉，获得纳米片层自组装而成的花状形貌显著增大电极材料比表面积，同时有利于电解质离子在电极材料体相中的扩散，使其具有优异的电化学性能。扫描速率50mV/s时，测得比电容值可达303.6F/g，阻抗为4.2Ω。
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