公开(公告)号：CN105118685A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510509657.5

申请日：2015-08-18

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 戴玉明 ,  朱帅帅 ,  王章忠 ,  赵玉全 ,  李长振 ,  吴文婷

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/46

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，包括：对钴片基体进行预处理，去除其表面的油脂和氧化物；将预处理过的钴片基体置于无水乙醇中进行超声震荡浸泡，取出后烘干，真空保存待用；将待用钴片进行氧化处理，得到氧化钴超电容电极材料。本发明方法简单、高效、制备成本低、环境污染小，制得的氧化钴纳米片电极材料具有优异的电容性能。

公开(公告)号：CN105118685B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201510509657.5

申请日：2015-08-18

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 戴玉明 ,  朱帅帅 ,  王章忠 ,  赵玉全 ,  李长振 ,  吴文婷

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/46

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种原位生长制备氧化钴纳米片超电容电极材料的方法，包括：对钴片基体进行预处理，去除其表面的油脂和氧化物；将预处理过的钴片基体置于无水乙醇中进行超声震荡浸泡，取出后烘干，真空保存待用；将待用钴片进行氧化处理，得到氧化钴超电容电极材料。本发明方法简单、高效、制备成本低、环境污染小，制得的氧化钴纳米片电极材料具有优异的电容性能。