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公开(公告)号:CN108622929B
公开(公告)日:2021-03-02
申请号:CN201810475595.4
申请日:2018-05-17
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种硫代锡酸铟电极材料及其制备方法,将氯化亚锡、硫酸铟和硫脲溶解于溶剂中,磁力搅拌至形成均匀混合溶液,将溶液转移至反应釜中,高温密闭反应一段时间,随炉冷却至室温;交替使用乙醇和超纯水进行离心清洗,然后真空干燥得到黑色粉体,即硫代锡酸铟电极材料。制得的硫代锡酸铟电极材料具有由纳米片交错生长形成球花状疏松多孔的分级结构,球花的平均直径为6μm,纳米片的平均厚度为25nm。本发明采用溶剂热法,制备方法操作简单,制得的硫代锡酸铟电极材料具有较高的质量比电容值和优异的循环稳定性,可以用于超级电容器电极材料。
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公开(公告)号:CN106298272A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610966685.4
申请日:2016-10-28
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种超电容用金属离子掺杂花状MnO2纳米片及其制备方法,采用化学沉淀的方法通过掺杂金属离子引导制备纳米片自组装花状的MnO2,其片层厚度为3~5nm;制备过程为:将浓度比为1:1的硫酸锰和过硫酸铵混合水溶液置于超声恒温水浴环境中,同时向混合溶液中匀速滴加浓度为0.001~0.2mol/L的金属盐溶液,随后继续反应0.5~3h。该方法制备流程简单、成本低廉,获得纳米片层自组装而成的花状形貌显著增大电极材料比表面积,同时有利于电解质离子在电极材料体相中的扩散,使其具有优异的电化学性能。扫描速率50mV/s时,测得比电容值可达303.6F/g,阻抗为4.2Ω。
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公开(公告)号:CN108622929A
公开(公告)日:2018-10-09
申请号:CN201810475595.4
申请日:2018-05-17
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明公开了一种硫代锡酸铟电极材料及其制备方法,将氯化亚锡、硫酸铟和硫脲溶解于溶剂中,磁力搅拌至形成均匀混合溶液,将溶液转移至反应釜中,高温密闭反应一段时间,随炉冷却至室温;交替使用乙醇和超纯水进行离心清洗,然后真空干燥得到黑色粉体,即硫代锡酸铟电极材料。制得的硫代锡酸铟电极材料具有由纳米片交错生长形成球花状疏松多孔的分级结构,球花的平均直径为6μm,纳米片的平均厚度为25nm。本发明采用溶剂热法,制备方法操作简单,制得的硫代锡酸铟电极材料具有较高的质量比电容值和优异的循环稳定性,可以用于超级电容器电极材料。
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