公开(公告)号：CN119653970A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411735095.1

申请日：2024-11-29

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 徐海英 ,  吴军 ,  马逾辉 ,  吴庆春 ,  刘津升

IPC: H10K30/15 ,  H10K30/81 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/16

Abstract: 本发明涉及一种宽波段自驱动光电探测器及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域。其中光电探测器包括依次层叠设置的n‑GaAs衬底层、Sb2S3层、PEDOT:PSS薄膜层和透明衬底层；n‑GaAs衬底层和Sb2S3层贴合构成异质结；n‑GaAs衬底层和PEDOT:PSS薄膜层错位设置，二者重叠区域完整覆盖Sb2S3层；n‑GaAs衬底层的靠近Sb2S3层的一侧设有第一电极，PEDOT:PSS薄膜层的靠近Sb2S3层的一侧设有第二电极，其中，第一电极设于与PEDOT:PSS薄膜层不重叠的区域，并与第二电极相互远离。本发明提出的宽波段自驱动光电探测器采用高导电的透明PEDOT:PSS薄膜作为探测光的入射窗口，提高入射光的透过率，促进光生载流子的收集；利用Sb2S3微米线和GaAs的吸收峰值对应于不同的光谱范围，实现了宽波段的光探测功能。

公开(公告)号：CN112234127A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011109833.3

申请日：2020-10-16

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 徐海英 ,  缪长宗 ,  姜明明 ,  阚彩侠

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种单根Rh@ZnO微米线异质结紫外增强发光二极管，包括p‑GaN衬底(1)，所述p‑GaN衬底(1)的上表面一侧蒸镀Ni/Au电极(3)，所述p‑GaN衬底(1)的上表面另一侧放置有n‑Rh@ZnO单根微米线(2)，所述n‑Rh@ZnO单根微米线(2)的上表面覆盖有ITO导电电极(4)。本发明还公开了上述发光二极管的制备方法及其应用。本发明的n‑Rh@ZnO单根微米线与p‑GaN衬底形成有效的异质结结构，异质结的I‑V特性显示整流二极管的特性，在正向偏压下，单根Rh@ZnO微米线异质结呈现出高效稳定的紫外发光，实现了增强紫外发光二极管，促进了其在紫外光源领域的应用。

公开(公告)号：CN112222422A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202011109842.2

申请日：2020-10-16

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 徐海英 ,  缪长宗 ,  姜明明 ,  阚彩侠

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/00 ,  C09K11/78 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种铑纳米立方体的可控制备方法，包括以下步骤：S01，制备溴化钾浓度为0.15～0.25mol/L的乙二醇溶液，在155～165℃油浴中高温加热40～120min；S02，制备RhCl3溶液和PVP溶液；S03，向S01中滴加2～20mL的RhCl3溶液和PVP溶液；S04，依次用丙酮和酒精分离并清洗多次，即得到不同边长的铑纳米立方体样品，即RhNCs。本发明还公开了铑纳米立方体对半导体进行紫外激光修饰的方法。本发明突破了常规贵金属纳米材料光学性质可见光区域的局限，以及合成稳定性、化学稳定性等缺陷，实现了简易操控合成紫外光学性质可调控的铑纳米立方体结构。