-
公开(公告)号:CN119653970A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411735095.1
申请日:2024-11-29
Applicant: 南京工程学院
Abstract: 本发明涉及一种宽波段自驱动光电探测器及其制备方法,属于半导体光电器件技术领域。其中光电探测器包括依次层叠设置的n‑GaAs衬底层、Sb2S3层、PEDOT:PSS薄膜层和透明衬底层;n‑GaAs衬底层和Sb2S3层贴合构成异质结;n‑GaAs衬底层和PEDOT:PSS薄膜层错位设置,二者重叠区域完整覆盖Sb2S3层;n‑GaAs衬底层的靠近Sb2S3层的一侧设有第一电极,PEDOT:PSS薄膜层的靠近Sb2S3层的一侧设有第二电极,其中,第一电极设于与PEDOT:PSS薄膜层不重叠的区域,并与第二电极相互远离。本发明提出的宽波段自驱动光电探测器采用高导电的透明PEDOT:PSS薄膜作为探测光的入射窗口,提高入射光的透过率,促进光生载流子的收集;利用Sb2S3微米线和GaAs的吸收峰值对应于不同的光谱范围,实现了宽波段的光探测功能。