公开(公告)号：CN108677157A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810552149.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 谈淑咏 ,  方峰 ,  刘晓东 ,  霍文燚 ,  王章忠

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种具有高硬高电阻率特性的高熵合金薄膜制备方法，它是通过磁控溅射技术实现的。首先利用拼靶方式确定合金靶材的配比，靶材经预溅射后，在不同氮流量比条件下，采用直流磁控溅射方法沉积(CoCrFeNi)Nx高熵合金薄膜。本发明通过直流磁控溅射工艺成功制备了(CoCrFeNi)Nx高熵合金薄膜，在所述工艺条件下，薄膜与基底结合良好，薄膜表面光滑、致密，最高硬度和电阻率分别高达14.0GPa和138μΩ•cm。本发明为高熵合金薄膜在微纳电子器件方面的应用奠定基础。

公开(公告)号：CN108677157B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810552149.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 谈淑咏 ,  方峰 ,  刘晓东 ,  霍文燚 ,  王章忠

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种具有高硬高电阻率特性的高熵合金薄膜制备方法，它是通过磁控溅射技术实现的。首先利用拼靶方式确定合金靶材的配比，靶材经预溅射后，在不同氮流量比条件下，采用直流磁控溅射方法沉积(CoCrFeNi)Nx高熵合金薄膜。本发明通过直流磁控溅射工艺成功制备了(CoCrFeNi)Nx高熵合金薄膜，在所述工艺条件下，薄膜与基底结合良好，薄膜表面光滑、致密，最高硬度和电阻率分别高达14.0 GPa和138μΩ•cm。本发明为高熵合金薄膜在微纳电子器件方面的应用奠定基础。

公开(公告)号：CN116787542A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310661033.X

申请日：2023-06-06

Applicant: 适新科技(苏州)有限公司 ,  南京工程学院

Inventor： 朱永明 ,  赵振东 ,  邹宏娟 ,  文少波 ,  刘晓东 ,  徐翊竣

IPC: B26F1/40 ,  B26D7/27 ,  B26D7/14 ,  B65B33/02 ,  B65B35/36

Abstract: 本发明公开了一种氢能源燃料电池PEN薄膜冲切装置，包括包括机架，用于输入待贴膜燃料电池的上料输送机和用于输出贴膜燃料电池的下料输送机，PEN薄膜冲切装置包括：加工区域；二维数控工作台设有两组，其中一组二维数控工作台上设有机械手，其中一个机械手用于将上料输送机上的待贴膜燃料电池运输至加工区域上；覆膜机包括放料辊、用于放料辊上的PEN薄膜牵引输出的导向辊组、用于将输出后的PEN薄膜分切的分切装置、用于配合第一平移机构将分切后的PEN薄膜粘贴至待贴膜燃料电池上的压滚机构；通过上料输送机、第一平移机构、两组二维数控工作台、机械手、覆膜机、冲压组件、吸附组件和下料输送机的配合使用，来实现全自动的冲切薄膜过程。