公开(公告)号：CN109728006B

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201711033195.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司

Inventor： 闫锋 ,  黄枝建 ,  施毅 ,  马浩文 ,  李煜乾 ,  卜晓峰 ,  孔祥顺 ,  毛成 ,  杨程 ,  张丽敏

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种基于复合介质栅MOSFET的全局曝光光敏探测器，包括由多个探测单元构成的阵列，每个探测单元包括感光晶体管、电荷存储晶体管和读取晶体管，或者每个探测单元包括感光晶体管、电荷转移晶体管、电荷存储晶体管和读取晶体管；其中，感光晶体管用以实现光敏探测器的感光功能，电荷存储晶体管用以实现光生电荷的存储，读取晶体管用以实现信号的读取，电荷转移晶体管用以控制光生电荷的转移。本发明的探测器无需机械快门，可实现全局曝光与快速读取的功能，与现有浮栅CMOS工艺兼容，制造技术成熟，易于实现，由探测单元构成的阵列与周边电路整合性高，可大幅缩小芯片体积，且任何一个像素的失效不会影响整个成像阵列的正常工作。

公开(公告)号：CN107658321B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201610592997.3

申请日：2016-07-25

Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司

Inventor： 马浩文 ,  闫锋 ,  卜晓峰 ,  沈忱 ,  张丽敏 ,  杨程 ,  毛成

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅的双器件光敏探测单元、探测器及其方法。其中，光敏探测单元包括复合介质栅MOS‑C部分和复合介质栅MOSFET部分，这两部分形成在同一P型半导体衬底的上方，并共用电荷耦合层。多个上述光敏探测单元在同一P型半导体衬底上排成阵列形成探测器，探测器中相邻单元像素之间通过深槽隔离区以及隔离区下方的P+型注入区来实现隔离。探测时，复合介质栅MOS‑C部分的P型半导体衬底感光，然后将光电子耦合到电荷耦合层，光电子信号通过复合介质栅MOSFET部分进行读取。本发明可以很好地实现光信号的探测，具有较好的弱光响应和线性度，同时没有明显的饱和现象，有比较大的动态范围和比较高的量子效率。