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公开(公告)号:CN109728006B
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN201711033195.X
申请日:2017-10-30
Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种基于复合介质栅MOSFET的全局曝光光敏探测器,包括由多个探测单元构成的阵列,每个探测单元包括感光晶体管、电荷存储晶体管和读取晶体管,或者每个探测单元包括感光晶体管、电荷转移晶体管、电荷存储晶体管和读取晶体管;其中,感光晶体管用以实现光敏探测器的感光功能,电荷存储晶体管用以实现光生电荷的存储,读取晶体管用以实现信号的读取,电荷转移晶体管用以控制光生电荷的转移。本发明的探测器无需机械快门,可实现全局曝光与快速读取的功能,与现有浮栅CMOS工艺兼容,制造技术成熟,易于实现,由探测单元构成的阵列与周边电路整合性高,可大幅缩小芯片体积,且任何一个像素的失效不会影响整个成像阵列的正常工作。