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发明授权
基于复合介质栅的双器件光敏探测单元、探测器及其方法有权转让

公开(公告)号：CN107658321B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201610592997.3

申请日：2016-07-25

Applicant: 南京威派视半导体技术有限公司

Inventor： 马浩文 , 闫锋 , 卜晓峰 , 沈忱 , 张丽敏 , 杨程 , 毛成

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明公开了一种基于复合介质栅的双器件光敏探测单元、探测器及其方法。其中，光敏探测单元包括复合介质栅MOS‑C部分和复合介质栅MOSFET部分，这两部分形成在同一P型半导体衬底的上方，并共用电荷耦合层。多个上述光敏探测单元在同一P型半导体衬底上排成阵列形成探测器，探测器中相邻单元像素之间通过深槽隔离区以及隔离区下方的P+型注入区来实现隔离。探测时，复合介质栅MOS‑C部分的P型半导体衬底感光，然后将光电子耦合到电荷耦合层，光电子信号通过复合介质栅MOSFET部分进行读取。本发明可以很好地实现光信号的探测，具有较好的弱光响应和线性度，同时没有明显的饱和现象，有比较大的动态范围和比较高的量子效率。

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